1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种阈值电压侦测方法和显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管显示装置按照驱动方式分为无源矩阵型和有源矩阵型两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两大类。在有源矩阵型这种驱动方式下，像素驱动电路设有用于驱动有机发光二极管发光的驱动晶体管。由于驱动晶体管工作在饱和区，流过驱动晶体管的电流大小会受到驱动晶体管自身的阈值电压。因此为了保证有机发光二极管显示装置的显示亮度的均匀性，需要对不同子像素之间的阈值电压差异进行补偿。
3.传统的阈值电压侦测方式采用的是给定驱动晶体管一个初始vgs(栅源电压vgs＝vg-vs)。然后利用源跟随的方式，保持驱动晶体管的栅极电压不变，让驱动晶体管的源极电压抬升至vgs＝vth(驱动晶体管的阈值电压)状态，流过驱动晶体管的电流大小趋近于零，对此状态下的驱动晶体管的源极电压进行采样，计算出驱动晶体管的阈值电压。再将得到的阈值电压叠加至显示时的数据电压上，实现对阈值电压差异的补偿，消除由阈值电压差异导致的显示亮度不均匀性。
4.然而，随着侦测中vgs的减小以及侦测线路的寄生电容远大于单个子像素的存储电容，驱动晶体管的源极电压的抬升越来越慢，如果要完全侦测出不同子像素的驱动晶体管的阈值电压差异，需要很长的时间。这在很大程度上会影响到工厂产能以及侦测设备的投入。对此，本技术提出一种基于恒流积分法实现高速侦测阈值电压的方法，但也因为其恒流的特性，当侦测条件以及驱动晶体管自身特性满足一定条件时，将会导致迭代侦测得到的阈值电压高低波动，无法实现收敛或需要更多的迭代次数来达到收敛的目的。


技术实现要素：

5.本技术提供一种阈值电压侦测方法和显示装置，可以提升驱动晶体管的阈值电压迭代侦测的效率，也能解决恒流积分侦测中迭代不收敛的问题。
6.本技术提供一种阈值电压侦测方法，其包括：
7.步骤s1、提供像素；所述像素包括驱动晶体管、开关晶体管、感测晶体管、电容及发光元件；所述驱动晶体管的栅极、所述开关晶体管的源极以及所述电容的第一端均与第一节点电连接，所述驱动晶体管的漏极与第一电源电连接，所述驱动晶体管的源极、所述感测晶体管的漏极以及所述电容的第二端均与第二节点电连接，所述开关晶体管的栅极与扫描线电连接，所述开关晶体管的漏极与数据线电连接，所述感测晶体管的栅极与控制线电连接，所述感测晶体管的源极与采样线电连接；
8.步骤s2、初始化所述第一节点和所述第二节点的电压，以使得所述驱动晶体管导通；其中，vdatan＝vth
n-1
+vdata0，n表示迭代的次数，vdatan表示第n+1次初始化所述第一节点时的初始数据电压，vdata0表示第1次初始化所述第一节点时的预设数据电压，vth
n-1
表示对所述第二节点的电压进行第n次侦测时的初始阈值电压，n为大于1的整数；
9.步骤s3、维持流经所述驱动晶体管的驱动电流不变，且间隔预设时间段后，对所述第二节点的电压进行侦测；
10.步骤s4、根据所述第二节点的电压以及预设电压得到初始阈值电压；
11.步骤s5、将所述第二节点的电压与所述预设电压进行比较，若所述第二节点的电压不等于所述预设电压，则返回步骤s2；若所述第二节点的电压等于所述预设电压，则根据所述初始阈值电压得到目标阈值电压。
12.可选的，在本技术一些实施例中，当第1次初始化所述第一节点和所述第二节点时，所述步骤s2具体包括：所述扫描线供应扫描信号，使得所述开关晶体管导通，所述数据线供应所述预设数据电压至所述第一节点；所述控制线供应侦测控制信号，使得所述感测晶体管导通，所述采样线供应预设源极电压至所述第二节点。
13.可选的，在本技术一些实施例中，当第n次初始化所述第一节点和所述第二节点时，所述步骤s2具体包括：所述扫描线供应扫描信号，使得所述开关晶体管导通，所述数据线供应初始数据电压至所述第一节点，所述控制线供应侦测控制信号，使得所述感测晶体管导通，所述采样线供应预设源极电压至所述第二节点，n为大于1的整数。
14.可选的，在本技术一些实施例中，所述预设数据电压大于所述预设源极电压，且所述预设数据电压与所述预设源极电压之间的差值大于所述驱动晶体管的阈值电压。
15.可选的，在本技术一些实施例中，所述步骤s3具体包括：控制所述开关晶体管截止，控制所述感测晶体管导通，控制所述采样线处于浮空状态，以维持流经所述驱动晶体管的驱动电流不变；间隔所述预设时间段，通过所述采样线对所述第二节点的电压进行侦测。
16.可选的，在本技术一些实施例中，所述步骤s4具体包括：计算得到初始阈值电压vthn＝(vtrg-vsn)，其中，vtrg为所述预设电压，vsn表示对所述第二节点进行第n+1次侦测时的所述第二节点的电压，vthn表示对所述第二节点的电压进行第n+1次侦测时的初始阈值电压，n为大于0的整数。
17.可选的，在本技术一些实施例中，所述若所述第二节点的电压等于所述预设电压，则根据所述初始阈值电压得到目标阈值电压的步骤，具体包括：获取多个所述初始阈值电压，并将除第一次侦测获取的所述初始阈值电压之外的多个所述初始阈值电压进行求和运算，以获得目标阈值电压。
18.可选的，在本技术一些实施例中，所述阈值电压侦测方法还包括：根据不同的所述像素的目标阈值电压得到不同的所述像素的阈值电压之间的差异。
19.可选的，在本技术一些实施例中，所述间隔时间段介于0.2毫秒至1.2毫秒之间。
20.相应的，本技术还提供一种显示装置，所述显示装置包括多个像素，在所述显示装置开机前或关机后的待机时间，采用上述任一项所述的阈值电压侦测方法，对所述像素进行阈值电压侦测。
21.本技术提供一种阈值电压侦测方法和显示装置。本技术提供的阈值电压侦测方法，通过新的侦测时序，实现在侦测过程中流过驱动晶体管的驱动电流恒定。然后，通过迭代的方式，让驱动晶体管的源极的电压经过多次迭代后抬升至预设电压，从而得到目标阈值电压；这种方式下流过驱动晶体管的驱动电流不会像传统源跟随侦测方法一样随时间减小，并且电流大小可以通过侦测时间、预设电压来控制，所以在侦测中向侦测线路充电速度可以很快。同时，在迭代过程中，通过其中两次侦测的结果直接计算获取新的初始数据电
压，进一步提升驱动晶体管的阈值电压迭代侦测的效率，同时解决恒流积分侦测中迭代不收敛的问题。
附图说明
22.图1是本技术实施例提供的阈值电压侦测方法的流程示意图；
23.图2是本技术实施例提供的像素的等效电路示意图；
24.图3是图2所示的像素的等效电路的时序示意图；
25.图4是本技术实施例提供的多次迭代计算的结果示意图；
26.图5是本技术实施例提供的直接计算初始数据电压的说明示意图；
27.图6是本技术实施例提供的直接计算结合迭代的方法与常规迭代计算的仿真示意图；
28.图7是本技术提供的显示装置的一种结构示意图。
具体实施方式
29.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
30.此外，本技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。由于本技术采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。
31.本技术提供一种阈值电压侦测方法和显示装置，以下进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对本技术实施例优选顺序的限定。
32.请参阅图1，图1是本技术实施例提供的阈值电压侦测方法的流程示意图。如图1所示，本技术实施例提供的阈值电压侦测方法包括以下步骤：
33.步骤s1、提供像素；像素包括驱动晶体管、开关晶体管、感测晶体管、电容及发光元件；驱动晶体管的栅极、开关晶体管的源极以及电容的第一端均与第一节点电连接，驱动晶体管的漏极与第一电源电连接，驱动晶体管的源极、感测晶体管的漏极以及电容的第二端均与第二节点电连接，开关晶体管的栅极与扫描线电连接，开关晶体管的漏极与数据线电连接，感测晶体管的栅极与控制线电连接，感测晶体管的源极与采样线电连接。
34.需要说明的是，本技术实施例提供的像素仅仅只是一种示例，本领域技术人员可以根据具体需要对像素进行设置。也即，本技术实施例提供的像素不仅仅包括以上描述的器件，本技术实施例提供的像素还可以包括其他器件。比如：为了进一步提升对发光元件发光时间的控制，可以在第一电源和驱动晶体管之间设置一晶体管，和/或，在第二节点和发光元件之间可以设置一晶体管。
35.其中，驱动晶体管用于控制流经驱动晶体管及发光元件的驱动电流。开关晶体管用于在扫描线供应的扫描信号的控制下将数据线供应的数据电压供应至第一节点(驱动晶体管的栅极)。感测晶体管用于在控制线供应的控制信号的控制下将采样线供应的预设源
极电压供应至第二节点(驱动晶体管的源极)。感测晶体管还用于在控制线供应的控制信号的控制下对与采样线电连接的第二节点进行侦测。发光元件可以是包括有机发光层的有机发光二极管，也可以是由无机材料形成的无机发光元件。
36.在一些实施例中，驱动晶体管、开关晶体管以及感测晶体管可以为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管中的一种或者多种。本技术实施例提供的像素中的晶体管可以为同一种类型的晶体管，从而可以避免不同类型的晶体管之间的差异性对像素造成的影响。
37.本技术提供的阈值电压侦测方法，结合新的侦测时序，并利用直接计算获取的初始数据电压，多次对第一节点的电压进行初始化。并在每次初始化第一节点和第二节点的电压后，在预设时间段内对第二节点的电压进行侦测。最后根据多次侦测到的第二节点的电压以及预设电压得到目标阈值电压。一方面，实现对第二节点的电压的恒流侦测，提高侦测速率。另一方面可以减少迭代次数，提升对像素中驱动晶体管的目标阈值电压迭代侦测的效率以及改善侦测到的目标阈值电压的收敛性。
38.具体的，请参阅图2和图3，图2是本技术实施例提供的像素的等效电路示意图。图3是图2所示的像素的等效电路的时序示意图。
39.如图2所示，本技术实施例提供的像素10包括驱动晶体管dt、开关晶体管t1、感测晶体管t2、电容cst及发光元件d。驱动晶体管dt的栅极与第一节点g电连接。驱动晶体管dt的漏极与第一电源elvdd电连接。驱动晶体管dt的源极与第二节点s电连接。开关晶体管t1的栅极与扫描线11电连接。开关晶体管t1的漏极与数据线12电连接。开关晶体管t1的源极与第一节点g电连接。感测晶体管t2的栅极与控制线13电连接。感测晶体管t2的源极与采样线14电连接。采样线14与第一开关元件samp的第一端电连接。第一开关元件samp的第二端与侦测源adc(analog to digital converter，模拟数字转换器)电连接。采样线14与第二开关元件spre的第一端电连接。第二开关元件spre的第二端与初始电源vprer电连接。电容cst的第一端与第一节点g电连接。电容cst的第二端与第二节点s电连接。
40.其中，第一开关元件samp用于导通或者断开采样线14与侦测源adc之间的线路。第二开关元件spre用于导通或者断开采样线14与初始电源vprer之间的线路。侦测源adc用于侦测采样线14上的电压，即侦测第二节点s的电压。初始电源vprer用于提供预设源极电压vref至第二节点s。
41.结合图2和图3，像素10的驱动时序包括初始化时间段t1、预设时间段t2以及侦测时间段t3。在初始化时间段t1，扫描线11供应扫描信号s1，使得开关晶体管t1导通。数据线12供应数据电压vdata至第一节点g，从而使得第一节点g的电压等于数据电压vdata。与此同时，控制线13供应控制信号s2，使得感测晶体管t2导通。第一开关元件samp截止，第二开关元件spre导通，初始电源vprer供应预设源极电压vref至第二节点s，从而使得第二节点s的电压等于预设源极电压vref。
42.在预设时间段t2，扫描线11停止供应扫描信号s1，开关晶体管t1截止，从而使得第一节点g处于浮空状态。第一开关元件samp截止以及第二开关元件spre截止。控制线13继续供应控制信号s2，感测晶体管t2导通，从而使得采样线14处于浮空状态。此时，驱动电流给采样线14充电，使得第二节点s的电压抬升。因为第一节点g处于浮空状态，根据电容耦合效应，电容cst两端的电势差维持不变，即第一节点g与第二节点s之间的压差不变。因此，流经
驱动晶体管dt的驱动电流不变，实现恒流功能。
43.在侦测时刻t3，控制线13继续供应控制信号s2，感测晶体管t2导通，第二开关元件spre导通。在预设时间段后，侦测源adc对第二节点s进行侦测，获得驱动晶体管dt的初始阈值电压。
44.需要说明的是，上述内容仅对在一次迭代过程中像素10的驱动时序进行说明，以便于理解如何实现初始阈值电压的侦测，以及如何在侦测过程中实现恒流。具体的迭代计算过程将在以下实施例中进行说明。
45.步骤s2、初始化第一节点和第二节点的电压，以使得驱动晶体管导通；其中，vdatan＝vth
n-1
+vdata0，n表示迭代的次数，vdatan表示第n+1次初始化第一节点时的初始数据电压，vdata0表示第1次初始化第一节点时的预设数据电压，vth
n-1
表示对第二节点的电压进行第n次侦测时的初始阈值电压，n为大于1的整数。
46.其中，在迭代计算过程中，本技术实施例需要多次对第一节点g以及第二节点s进行初始化。需要说明的是，多次对第一节点g进行初始化之间是不连续的，且每次对第一节点g进行初始化的数据电压均不相同。多次对第二节点s进行初始化之间是不连续的，且每次对第二节点s进行初始化的初始源极电压均相同。比如：当对第一节点g进行第1次初始化后，先执行其他步骤，待其他步骤执行完后，可再对第一节点g进行第2次初始化。其中，对第一节点g进行第1次初始化后第一节点g的电压不等于对第一节点g进行第2次初始化后第一节点g的电压。当对第二节点s进行第1次初始化后，先执行其他步骤，待其他步骤执行完后。可再对第二节点s进行第2次初始化，其中，对第二节点s进行第1次初始化后第二节点s的电压等于对第二节点s进行第2次初始化后第二节点的电压。
47.在侦测目标阈值电压的过程中，像素10的驱动时序包括多个迭代时间段，比如，第0次迭代时间段、第1次迭代时间段等。每个迭代时间段均包括初始化时间段t1、预设时间段t2以及侦测时间段t3，在此不一一赘述。
48.需要说明的是，在本技术实施例中，在对第一节点g和第二节点s的电位进行第一次初始化，以及对第二节点s进行第一次侦测时，不存在迭代的过程。因此，第一次初始化以及第一次侦测的过程也称为第0次迭代；第二次初始化以及第二次侦测的过程也称为第1次迭代；以此类推，在此不一一赘述。
49.具体的，结合图2-图4，图4是本技术实施例提供的多次迭代计算的结果示意图。
50.在第0次迭代时，也即当第1次初始化第一节点g和第二节点s时，fb＝0。步骤s2(初始化时间段t1)具体包括：扫描线11供应扫描信号s1，使得开关晶体管t1导通。数据线12将预设数据电压vdata0供应至第一节点g，从而使得第一节点g的电压等于初始数据电压vdata0。与此同时，控制线13供应控制信号s2，使得感测晶体管t2导通。第一开关元件samp截止，第二开关元件spre导通。初始电源vprer供应预设源极电压vref至第二节点s，从而使得第二节点s的电压等于预设源极电压vref。
51.在第1次迭代时，也即当第2次初始化第一节点g和第二节点s时，fb＝1。步骤s2具体包括：扫描线11供应扫描信号s1，使得开关晶体管t1导通，数据线12供应初始数据电压vdata1供应至第一节点g，从而使得第一节点g的电压等于初始数据电压vdata1。与此同时，控制线13供应控制信号s2，使得感测晶体管t2导通。第一开关元件samp截止，第二开关元件spre导通，初始电源vprer供应预设源极电压vref至第二节点s，从而使得第二节点s的电压
等于预设源极电压vref。
52.在第n次迭代时，也即当第n+1次初始化第一节点g和第二节点s时，fb＝n。步骤s2具体包括：扫描线供s1应扫描信号s1，使得开关晶体管t1导通，数据线12供应初始数据电压vdatan至第一节点g。其中，vdatan＝vth
n-1
+vdata0，n表示迭代的次数。vdatan表示第n+1次初始化所述第一节点时的初始数据电压。vdata0表示第1次初始化所述第一节点时的预设数据电压。vth
n-1
表示对所述第二节点的电压进行第n次侦测时获得的初始阈值电压。n为大于1的整数。
53.在本技术实施例中，对第一节点g进行第1次初始化后第一节点g的电压为预设数据电压vdata0。预设数据电压vdata0可以根据需要进行设定。对第一节点g进行第n次初始化后第一节点g的电压可以根据以上公式计算得到。对第二节点s进行初始化后第二节点s的电压等于预设源极电压vref。预设源极电压vref可以根据需要进行设定。
54.在本技术实施例中，预设数据电压vdata0与预设源极电压vref之间的差值大于驱动晶体管dt的阈值电压。初始数据电压vdatan与预设源极电压vref之间的差值大于驱动晶体管dt的阈值电压。基于此，当第一节点g和第二节点s进行初始化后，可以使得驱动晶体管dt导通。
55.可知，在本技术实施例中，可通过直接计算得到每次迭代计算时的初始数据电压vdatan，一方面可以减小迭代的次数，提高侦测速率。另一方面可以保证迭代计算的收敛性。
56.以下将对上述列出的初始数据电压vdatan的计算公式进行说明。
57.请参阅图2和5，图5是本技术实施例提供的直接计算初始数据电压的说明示意图。其中，驱动晶体管dt的饱和区电流公式为：
[0058][0059]
其中，μ为驱动晶体管dt的迁移率。w/l为驱动晶体管dt的有源层宽长比。cox为单位面积栅氧化层电容。vg为第一节点g的电压。vs为第二节点s的电压。vth为驱动晶体管dt的真实阈值电压。
[0060]
令另外，电压电流关系满足：δv＝i*t/csen。其中，csen为侦测线路的寄生电容。
[0061]
则对于某一像素10的驱动晶体管dt，第a次迭代侦测：ia＝k*(vg
a-vref-vth)2。由上述内容可知，侦测过程中驱动电流恒流，所以ia不变。vs的变化量如下：δvsa＝ia*t/csen。其中，δvsa为vs在一次侦测中从vref抬升至vsa的电压变化量，即：δvsa＝vs
a-vref。
[0062]
对于驱动晶体管dt的第b次迭代侦测，同理可得：ib＝k*(vg
b-vref-vth)2，δvsb＝ib*t/csen。
[0063]
所以，ia/ib＝(vg
a-vref-vth)2/(vg
b-vref-vth)2，δvsa/δvsb＝ia/ib。
[0064]
然后令：α＝δvsa/δvsb，求解vth可得(vga、vgb为系统计算输出的已知量，即为预设数据电压。vsa、vsb为侦测得到的已知量，即为预设源极电压)：
[0065][0066]
若需要第n次迭代侦测完成让vs收敛至预设电压vtrg，可得：
[0067]
in＝k*(vg
n-vref-vth)2，δvsn＝in*t/csen＝δvtrg。
[0068]
其中，δvtrg＝vtrg-vref，in/ia＝(vg
n-vref-vth)2/(vg
a-vref-vth)2，δvtrg/δvsa＝in/ia。
[0069]
令：β＝δvtrg/δvsa，求解vgn可得：
[0070][0071]
再将前式(1)求解得到的vth代入式(2)，即可得到vgn的具体数值，此时计算得到vth
n-1
＝vg
n-vg0。
[0072]
需要说明的是，vg0即为预设数据电压vdata0。计算公式中a、b无明确大小关系，可以任取两次侦测来计算。n需要满足大于a和b(因为是以a和b的数据为基础计算得到第n次迭代侦测需要施加的栅极电压大小，也即初始数据电压)。
[0073]
因此，可以任取两次侦测直接计算得到新的预设数据电压，对第一节点g的电位进行初始化，以减少迭代的次数以及改善迭代收敛性。
[0074]
步骤s3、维持流经驱动晶体管的驱动电流不变，且间隔预设时间段后，对第二节点的电压进行侦测。
[0075]
其中，本技术实施例需要多次对第二节点s的电压进行侦测。需要说明的是，多次对第二节点s的电压进行侦测之间是不连续的。比如：当对第二节点s的电压进行第1次侦测后，先执行其他步骤，待其他步骤执行完后，可再对第二节点s的电压进行第2次侦测。
[0076]
具体的，步骤s3具体包括：控制开关晶体管t1截止，控制感测晶体管t2导通，控制采样线14处于浮空状态，以维持流经驱动晶体管dt的驱动电流不变。此时，驱动电流给采样线14充电，使得第二节点s的电压抬升。当感测时间达到设定的间隔预设时间段后，第二节点s的电压抬升到一定数值。第一开关元件samp打开，adc通过采样线14对第二节点s的电压进行侦测，获得第二节点s的电压vsn。
[0077]
其中，间隔预设时间段可以设置很短。在本技术实施例中，间隔预设时间段介于0.2毫秒至1.2毫秒之间。例如，间隔预设时间段可以是0.2毫秒、0.5毫秒、1毫秒、1.5毫秒等。由于间隔预设时间段很短，且本技术实施例可以减少迭代次数，因此可以有效提高迭代侦测的速度。
[0078]
步骤s4、根据第二节点的电压以及预设电压得到初始阈值电压。
[0079]
其中，本技术实施例需要得到多个初始阈值电压。具体的，步骤s4包括：计算得到初始阈值电压vthn＝(vtrg-vsn)，其中，vtrg为预设电压。vsn表示对第二节点s进行第n+1次侦测时的第二节点s的电压。vthn表示对第二节点s的电压进行第n+1次侦测时的初始阈值电压。n为大于0的整数。
[0080]
比如：当对第二节点s的电压进行第1次侦测后，根据第1次侦测后的第二节点s的电压vs0以及预设电压vtrg得到第1个初始阈值电压vth0。当对第二节点s的电压进行第2次
侦测后，根据第1次侦测后的第二节点s的电压vs1以及预设电压vtrg得到第2个初始阈值电压vth1。以此类推，在此不一一赘述。
[0081]
步骤s5、将第二节点的电压与预设电压进行比较，若第二节点的电压不等于预设电压，则返回步骤s2；若第二节点的电压等于预设电压，则根据初始阈值电压得到目标阈值电压。
[0082]
其中，将第二节点s的电压vsn与预设电压vtrg比较。若第二节点s的电压vsn不等于预设电压vtrg。也即，在本技术实施例提供的阈值电压侦测方法中，先执行步骤s1，接着执行步骤s2，再接着执行步骤s3，紧接着执行步骤s4。若第二节点s的电压vsn不等于预设电压vtrg，则继续执行步骤s2、步骤s3以及步骤s4，直至第二节点s的电压vsn等于预设电压vtrg。
[0083]
具体的，若第二节点s的电压等于预设电压vtrg，则根据初始阈值电压得到目标阈值电压的步骤，具体包括：获取多个初始阈值电压，并将除第一次侦测获取的所述初始阈值电压之外的多个初始阈值电压进行求和运算，以获得目标阈值电压。
[0084]
需要说明的是，当vsn＝vtrg，此时vthn＝0。随着迭代次数增加，初始数据电压不再改变，即vdatan不再改变。此时，计算得到目标阈值电压vth’。
[0085]
进一步的，本技术实施例提供的阈值电压侦测方法还包括：根据不同的像素的目标阈值电压得到不同的像素的阈值电压之间的差异。
[0086]
其中，计算得到的目标阈值电压vth’并非驱动晶体管dt的真实阈值电压。而是包含不同驱动晶体管dt真实阈值电压差异信息的值。虽然不是真实的阈值电压，但在补偿时因为可以消除阈值电压差异，所以同样可以达到消除显示不均的目的。具体的原理如下所示：
[0087]
根据饱和区电流公式：令
[0088]
则取两次侦测的电流为：
[0089][0090]
迭代稳定电流为：
[0091]
i1′
＝k1(vgs+δv
1-vt1)2，i2′
＝k2(vgs+δv
2-vt2)2，i2′
＝i1′
。
[0092]
δv1和δv2的关系为：
[0093][0094]
当不同驱动晶体管td的k相等时，即k1＝k2时，δv
1-δv2＝vt
1-vt2，侦测结果可完全反应驱动晶体管dt的真实阈值电压vth的差异。
[0095]
需要说明的是，在本技术实施例中，由于流经驱动晶体管dt的驱动电流的恒流的特性，当侦测条件以及驱动晶体管dt的自身特性满足一定条件时，将会导致迭代侦测得到的第二节点s的电压关于预设电压高低波动，无法实现收敛或需要更多的迭代次数来达到侦测得到的第二节点s的电压收敛于预设电压。基于此，本技术实施例利用上述公式直接计算初始数据电压vdatan，在理想情况下，第二次迭代计算时，第二节点s的电压vs2即收敛于预设电压vtrg。从而减少迭代次数，提升侦测效率以及改善侦测结果不收敛情况。
[0096]
比如，请参阅图6，图6是本技术实施例提供的直接计算结合迭代的方法与常规迭代计算的仿真示意图。如图6所示，本实施例是以a＝0，b＝1，n＝2(即迭代两次)，以及预设电压vtrg等于4v为例进行仿真。可知，采用直接计算结合迭代的计算方法相较于常规迭代计算，能够加速迭代收敛。
[0097]
本技术还提供一种显示装置。显示装置包括多个像素，多个像素均采用上述任一实施例所述的阈值电压侦测方法，对像素进行阈值电压侦测，具体可参阅上述内容，在此不再赘述。
[0098]
在本技术实施例中，显示装置可以是智能手机、平板电脑、视频播放器、个人计算机(pc)等，本技术对此不作限定。
[0099]
具体的，请参阅图7，图7是本技术提供的显示装置的一种结构示意图。显示装置100包括像素10。像素10呈阵列排布。因为采用外部补偿方案时，像素中驱动晶体管的阈值电压的侦测只能在黑画面下进行，所以会占用用户开机前或关机后的待机时间，极大影响用户使用体验。
[0100]
本技术提供的显示装置100中，通过新的侦测时序，实现在侦测过程中流过驱动晶体管的驱动电流恒定。然后，通过迭代的方式，让驱动晶体管的源极的电压经过多次迭代后，在侦测时间内均抬升至预设电压，从而得到目标阈值电压；这种方式下流过驱动晶体管的驱动电流不会像传统源跟随侦测方法一样随时间减小，并且电流大小可以通过侦测时间、预设电压来控制，所以在侦测中向侦测线路充电速度可以很快。同时，在迭代时，通过直接计算获取初始数据电压，可以提升驱动晶体管的阈值电压迭代侦测的效率，从而提高用户使用体验。
[0101]
以上仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。