1.本技术总体来说涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种滤光片 bank的制备方法、滤光片bank、滤光片及显示装置。


背景技术：

2.qdcf(quantum dots color filter，量子点彩色滤光片)通常被应用于显示屏，qd量子点具有光转化率高、色域高和色纯度高等优势，由于qd量子点显示技术仍不成熟，现有的qd显示主要以光致qd量子点显示，通过qd量子点来代替传统彩膜，有效提升显示色域，真实还原显示色彩。
3.由于qd量子点对蓝光吸收率不高，需要制备较厚的qd膜层来有效的吸收蓝光提高蓝光转化率，通常情况下qd需要的厚度均在10um 以上，因此，需要较厚的bank(界定层)，但会增大光串扰问题发生几率。


技术实现要素：

4.在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本技术内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
5.为了解决现有qd滤光片的蓝光吸收率不高的技术问题，本技术的主要目的在于提供一种滤光片bank的制备方法、滤光片bank、滤光片及显示装置。
6.为实现上述发明目的，本技术采用如下技术方案：
7.一种滤光片bank的制备方法，包括：
8.在基板上形成第一结构层；
9.在所述第一结构层上形成第二结构层；
10.对所述第一结构层进行图样化；
11.在所述第二结构层形成反光膜。
12.进一步的，在本技术方案的一些实施例中，在所述第一结构层上形成第二结构层包括：
13.在所述第一结构层制备光刻胶，并对光刻胶图案化形成光刻胶层及制备区；
14.在位于所述制备区内的第一结构层上电镀cu形成第二结构层；
15.去除所述光刻胶层。
16.进一步的，在本技术方案的一些实施例中，在所述第一结构层上形成第二结构层包括：
17.在所述第一结构层上电镀形成cu层；
18.在所述cu层上形成图案化的光刻胶层；
19.通过光刻胶层对所述cu层图案化形成所述第二结构层。
20.进一步的，在本技术方案的一些实施例中，在所述第二结构层制备反光膜包括：
21.采用化学镀ag在所述第二结构层上形成反光膜；
22.所述反光膜包裹所述第一结构层和所述第二结构层。
23.进一步的，在本技术方案的一些实施例中，所述第二结构层的厚度在2μm-100μm之间。
24.进一步的，在本技术方案的一些实施例中，在基板上形成第一结构层包括：
25.选用mtd/cu或ti/cu在基板(100)上形成所述第一结构层。
26.进一步的，在本技术方案的一些实施例中，所述反光膜的厚度在 0.001μm-1μm之间。
27.一种滤光片bank，采用上述滤光片bank的制备方法加工而成。
28.一种滤光片，安装有上述滤光片bank。
29.一种显示装置，包括基板及上述滤光片，所述基板设置有封装层，所述滤光片位于所述封装层外侧。
30.由上述技术方案可知，本技术的滤光片bank的制备方法、滤光片 bank、滤光片及显示装置的优点和积极效果在于：
31.本技术方案提供一种滤光片bank的制备方法，包括在基板上形成第一结构层，在所述第一结构层上形成第二结构层，对所述第一结构层进行图样化，在所述第二结构层形成反光膜，形成反射型bank，反光膜有效提升蓝光利用率，提高光转化效率，同时减少光串扰现象。
附图说明
32.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
33.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
34.图1-图6是根据一示例性实施方式示出的一种滤光片bank的制备方法的示意图。
35.图7-图11是根据一示例性实施方式示出的另一种滤光片bank的制备方法的示意图。
36.图12是根据一示例性实施方式示出的包含滤光片的结构示意图。
37.图13是根据一示例性实施方式示出的一种显示装置示意图。
38.其中，附图标记说明如下：
39.100-基板；200-第一结构层；300-第二结构层；400-反光膜；500
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像素层；600-光刻胶层；700-led发光层；800-光学胶层；900-防护层； 1000-滤光层；
40.110-玻璃盖板；
41.610-制备区。
具体实施方式
42.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是
本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围，因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
43.qdcf(quantum dots color filter，量子点彩色滤光片)通常被应用于显示屏，qd量子点具有光转化率高、色域高和色纯度高等优势，由于电致qd显示技术仍不成熟，现有的qd显示主要以光致qd显示，通过qd来代替传统彩膜，有效提升显示色域，真实还原显示色彩，由于qd对蓝光吸收率不高，需要制备较厚的qd膜层来有效的吸收蓝光提高蓝光转化率，通常情况下qd膜层需要的厚度均在10um以上，因此，需要较厚的bank，但较厚的bank会增大光串扰问题发生几率，为了解决现有qd滤光片的蓝光吸收率不高的技术问题，本技术提供一种滤光片bank的制备方法、滤光片bank、滤光片及显示装置，滤光片bank的制备方法包括：在基板100上形成第一结构层200，在所述第一结构层200上形成第二结构层300，对所述第一结构层200进行图样化，在所述第二结构层300形成反光膜400，反光膜400有效提升蓝光利用率，提高光转化效率，同时有效减少了光串扰现象。
44.图1-图6是根据一示例性实施方式示出的一种滤光片bank的制备方法的示意图。
45.图12是根据一示例性实施方式示出的包含滤光片的结构示意图。
46.图13是根据一示例性实施方式示出的一种显示装置示意图。
47.参考图1-6所示，本技术实施例提供一种滤光片bank的制备方法、滤光片bank、滤光片及显示装置，滤光片bank采用上述滤光片bank 的制备方法加工而成，滤光片安装有上述滤光片bank，显示装置包括基板100及上述滤光片。
48.滤光片bank的制备方法包括：
49.步骤1：在基板100上形成第一结构层200；
50.具体的，如图1，基板100可以是led的发光(el)基板、微发光二极管显示基板、完成led键合的基板或者是玻璃板，可以选用mtd/cu 或者是ti/cu，即选用钼镍钛/铜或者钛/铜合金材质制备第一结构层 200。
51.在本领技术人员的理解下，第一结构层200也可以采用其它导电金属，例如mo、al、au等单层、一种金属形成的多层或多种金属形成的多层结构等。
52.步骤2：在第一结构层200上形成第二结构层300；
53.具体的，如图2-4，在所述第一结构层200上制备光刻胶，并对所述光刻胶图案化，形成图案化的光刻胶层600，去除光刻胶的部分形成制备区610，在位于制备区610内的第一结构层200上电镀cu形成第二结构层300，去除光刻胶层600。
54.在本领技术人员的理解下，第二结构层300也可以采用其它电镀金属制备,例如sn、ni、au、ag、pt等。
55.其中，第二结构层300的厚度在2μm-100μm之间，优选的，第二结构层300大于6μm。光刻胶层600的厚度需要大于第二结构层300 厚度的10％以上，小于第二结构层300厚度的200％。采用铜材质制备第二结构层300，铜可以实现厚膜层的制备，且在显示装置中还可以提高防护层900的散热效果。
56.步骤3：对第一结构层200进行图样化；
57.具体的，参考图5，以第二结构层300作为遮掩层，采用刻蚀液对第一结构层200进行刻蚀，形成图案化的第一结构层200。
58.步骤4：在所述第二结构层300形成反光膜400；
59.具体的，采用化学镀ag的方式在第二结构层300上形成反光膜 400，反光膜400包裹第一结构层200和第二结构层300，反光膜400 的厚度在0.001μm-1μm之间。采用ag(银)材质制备反射膜，可以有效提升蓝光利用率，提高光转化效率，同时有效减少了光串扰现象。
60.本技术方案中，滤光片bank采用上述滤光片bank的制备方法加工而成，bank(界定层)包括第一结构层200、第二结构层300及反光层。
61.参考图12-13所示，滤光片为量子点彩色滤光片，滤光片包括第一结构层200、第二结构层300、反光层及像素层500，第一结构层200 为图案化的mtd/cu层或ti/cu层，第二结构层300为图案化的cu(铜) 层，第二结构层300形成于第一结构层200上，反光膜400采用化学镀ag(银)的方式包裹第一结构层200和第二结构层300，像素层500 填充有量子点。滤光片设置于基板100上，基板100可以是led的发光(el)基板、微发光二极管显示基板、完成led键合的基板或者是玻璃板。
62.本技术实施例图13为一种显示装置的局部结构示意图，显示装置包括防护层900、光学胶层800、led发光层700、滤光片及基板100，基板100为玻璃盖板110，滤光层1000位于滤光片上方。
63.在一些实施例中，本技术方案中的滤光片可以设置于led的发光 (el)基板或微发光二极管显示基板，在led的发光(el)基板与滤光片之间或微发光二极管显示基板与滤光片之间可设置封装层，降低寄生电容形成的概率。
64.本技术实施例中，滤光板的bank仅需一次图样化工艺，加工工艺简单，加工效率高，采用ag(银)材质制备反射膜，ag可以防止第二结构层300氧化，提升cu反射率，从而有效提升蓝光利用率，提高光转化效率，同时有效减小了光串扰发生几率，采用铜材质制备第二结构层300，可以提高防护层900的散热效果。
65.实施例2
66.图7-图11是根据一示例性实施方式示出的另一种滤光片bank的制备方法的示意图。
67.图12是根据一示例性实施方式示出的包含滤光片的结构示意图。
68.图13是根据一示例性实施方式示出的一种显示装置示意图。
69.参考图7-11所示，本技术实施例提供一种滤光片bank的制备方法、滤光片bank、滤光片及显示装置，滤光片bank采用上述滤光片 bank的制备方法加工而成，滤光片安装有上述滤光片bank，显示装置包括基板100及上述滤光片。
70.滤光片bank的制备方法包括：
71.步骤1：在基板100上形成第一结构层200；
72.具体的，参考图7，基板100可以是led的发光(el)基板、微发光二极管显示基板、完成led键合的基板或者是玻璃板，可以选用 mtd/cu或者是ti/cu，选用钼镍钛/铜或者钛/铜合金材质制备第一结构层200。
73.在本领技术人员的理解下，第一结构层200也可以采用其它导电金属，例如mo、al、au等单层结构、一种金属形成的多层或多种金属形成的多层结构等。
74.步骤2：在第一结构层200上形成第二结构层300；
75.具体的，参考图8，在所述第一结构层200上电镀cu，形成cu层。 cu层的厚度在2μm-100μm之间，优选的，第二结构层300大于6μm。采用铜材质制备第二结构层300，铜可以实现厚膜层的制备，在显示装置中可以提高防护层900的散热效果。
76.在本领技术人员的理解下，第二结构层300也可以采用其它电镀金属制备,例如sn、ni、au、ag、pt等。
77.步骤3：在第二结构层300上形成图案化的光刻胶层600；
78.具体的，参考图9，在第二结构层300上制备光刻胶，并根据需求对光刻胶图案化，形成图案化的光刻胶层600。
79.步骤4：参考图10，以图案化的光刻胶层600作为掩膜，依次对 cu层、第一结构层200进行图案化，对cu层图案化形成第二结构层 300。
80.步骤5：在所述第二结构层300形成反光膜400；
81.具体的，参考图11，采用化学镀ag的方式在第二结构层300上形成反光膜400，反光膜400包裹第一结构层200和第二结构层300，反光膜400的厚度在0.001μm-1μm之间。采用ag(银)材质制备反射膜，ag可以防止第二结构层300氧化，提升cu反射率，从而有效提升蓝光利用率，提高光转化效率，同时有效减小了光串扰问题发生几率。
82.本技术方案中，滤光片bank采用上述滤光片bank的制备方法加工而成，bank(界定层)包括第一结构层200、第二结构层300及反光层。
83.参考图12-13所示，滤光片为量子点彩色滤光片，滤光片包括第一结构层200、第二结构层300、反光层及像素层500，第一结构层200 为图案化的mtd/cu层或ti/cu层，第二结构层300为图案化的cu(铜) 层，第二结构层300形成于第一结构层200上，反光膜400采用化学镀ag(银)的方式包裹第一结构层200和第二结构层300，像素层500 形成于图案化cu层后去除cu区域，像素层500填充有量子点。滤光片设置于基板100上，基板100可以是led的发光(el)基板、微发光二极管显示基板、完成led键合的基板或者是玻璃板。
84.本技术实施例图13为一种显示装置的局部结构示意图，显示装置包括防护层900、光学胶层800、led发光层700、滤光片及基板100，基板100包括玻璃盖板110，滤光层1000位于滤光片上方。在一些实施例中，本技术方案中的滤光片可以设置于led的发光(el)基板或微发光二极管显示基板，在led的发光(el)基板与滤光片之间或微发光二极管显示基板与滤光片之间可设置封装层，降低寄生电容形成的可能性。
85.本技术实施例中，滤光板的bank仅需一次图样化工艺，加工工艺简单，加工效率高，采用ag(银)材质制备反射膜，ag可以防止第二结构层300氧化，提升cu反射率，从而有效提升蓝光利用率，提高光转化效率，同时有效减小了光串扰问题发生几率，采用铜材质制备第二结构层300，还可以提高防护层900的散热效果。
86.综上，本技术方案提供一种滤光片bank的制备方法、滤光片bank、滤光片及显示装置，滤光片bank采用上述滤光片bank的制备方法加工而成，滤光片安装有上述滤光片bank，显示装置包括基板100及上述滤光片，滤光片bank中第二结构层300可以采用两种加工形式，两种加工形式都只需进行一次图案化工艺，加工工艺简单，加工效率高。滤光片bank加工过程中，先在基板100上形成第一结构层200，然后制备第二结构层300，第二结构层300加工的第一种方式，在第一结构层200制备光刻胶，根据第二结构层300的加工图案对光刻胶
图案化，形成图案化的光刻胶层600，然后通过电镀的工艺在去除光刻胶的区域形成第二结构层300，去除光刻胶层600，完成第二结构层300的制备；第二结构层300的第二种加工方式，在第一结构层200上依次制备cu 层和光刻胶，对光刻胶图案化，形成图案化的光刻胶层600，然后以图案化的光刻胶层600作为掩膜对cu层和第一结构层200图案化，去除光刻胶层600，完成第二结构层300的制备。
87.第二结构层300的第一种加工方式中，第二结构层300形成后，以第二结构层300作为掩膜对第一结构层200进行图案化，第二结构层300的第二种加工方式中，以图案化的光刻胶层600作为掩膜，依次对第二结构层300和第一结构层200图案化，无论是哪一种加工方式，滤光片bank加工方法中都只需进行一次图案化工艺，加工工艺简单，加工效率高，最后采用化学镀ag的方式在第二结构层300上形成反光膜400，反光膜400包裹第一结构层200和第二结构层300，反光膜400的厚度在0.001μm-1μm之间。采用ag(银)材质制备反射膜， ag可以防止第二结构层300氧化，提升cu反射率，形成反射性bank，从而有效提升蓝光利用率，提高光转化效率，同时有效减小了光串扰问题发生几率。
88.本技术方案中，滤光片可以设置于led的发光(el)基板或微发光二极管显示基板，滤光片bank加工过程中，可以先制备一封装层，然后在封装层上制备第一结构层200，封装层将滤光片bank与基板100 中导线分隔，降低寄生电容形成的可能性。
89.需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
90.以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明总的发明构思的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。