一种疏松多孔的二氧化硅包覆Co-N-C空心纳米管材料的制备方法及其应用 下载此专利PDF版本

CN201811094363.0 多孔 疏松

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专利摘要

本发明公开了一种疏松多孔的二氧化硅包覆Co‑N‑C空心纳米管材料的制备方法及其应用，首先制备了MoO

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 审查中-实审

基础信息

专利号
CN201811094363.0
申请日
2018-09-19
公开日
2019-01-11
公开号
CN109174155A
主分类号
/B/B01/ 作业；运输
标准类别
一般的物理或化学的方法或装置
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

陈美玲 刘小网

申请人

安徽师范大学

申请人地址

241000 安徽省芜湖市弋江区花津南路安徽师范大学

专利摘要

本发明公开了一种疏松多孔的二氧化硅包覆Co‑N‑C空心纳米管材料的制备方法及其应用，首先制备了MoO

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