本实用新型公开了一种CMOS上的PMUT的单片集成器件,其包括作为该器件的基部的基板层(101);介电隔层(102),设置于基板层(101)的顶部,并位于保护层(103)的下方;电子线路,形成在介质电隔层(102)内,并由基板层(101)支撑,电子线路包括由一个或多个间隔开的金属(204)形成的多个金属层;以及至少一个微机械超声波换能器。
每个微机械超声波换能器包括底部电极(301),其设置在保护层(103)的顶部并连接到电子线路;压电体(302)设置在底部电极(301)的顶部;顶部电极(303)设置在压电体的顶部;弹性层(304)位于顶部电极(303)的顶部。
在底部电极(301)下方形成有空腔(306),其从保护层(103)延伸到介电隔层(102)的一部分。
绍达拉潘迪安·莫罕拉吉 坎帝马翰帝·阿君库马尔
矽特拉马来西亚有限公司
马来西亚吉打州
本实用新型公开了一种CMOS上的PMUT的单片集成器件,其包括作为该器件的基部的基板层(101);介电隔层(102),设置于基板层(101)的顶部,并位于保护层(103)的下方;电子线路,形成在介质电隔层(102)内,并由基板层(101)支撑,电子线路包括由一个或多个间隔开的金属(204)形成的多个金属层;以及至少一个微机械超声波换能器。
每个微机械超声波换能器包括底部电极(301),其设置在保护层(103)的顶部并连接到电子线路;压电体(302)设置在底部电极(301)的顶部;顶部电极(303)设置在压电体的顶部;弹性层(304)位于顶部电极(303)的顶部。
在底部电极(301)下方形成有空腔(306),其从保护层(103)延伸到介电隔层(102)的一部分。