本发明公开一种光致超声换能器及其制备方法，该方法包括以下步骤：1)选取长方体形状的硅片并进行超声清洗；2)采用化学气相沉淀法在硅片上生长碳纳米管阵列膜；3)配置PDMS混合溶液；4)将配好的PDMS滴在碳纳米管阵列膜上使其在碳纳米管阵列顶部分散开；5)然后将滴有PDMS的碳纳米管阵列膜放置于真空环境下；6)抽完真空后在将碳纳米管阵列膜固化；7)待碳纳米管阵列膜固化后，将其从硅片上撕下后，采用感应耦合等离子体刻蚀法(ICP)对碳纳米管阵列膜进行刻蚀使其变薄厚度，使其达到预期的厚度。
8)将脉冲激光做作用于减薄后的碳纳米管阵列膜后将会产生高频超声信号。
本发明方法工艺简单，操作方便，制备的高频光声换能器性能良好。

朱本鹏 雷爽 杨晓非 李家普

华中科技大学

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明公开一种光致超声换能器及其制备方法，该方法包括以下步骤：1)选取长方体形状的硅片并进行超声清洗；2)采用化学气相沉淀法在硅片上生长碳纳米管阵列膜；3)配置PDMS混合溶液；4)将配好的PDMS滴在碳纳米管阵列膜上使其在碳纳米管阵列顶部分散开；5)然后将滴有PDMS的碳纳米管阵列膜放置于真空环境下；6)抽完真空后在将碳纳米管阵列膜固化；7)待碳纳米管阵列膜固化后，将其从硅片上撕下后，采用感应耦合等离子体刻蚀法(ICP)对碳纳米管阵列膜进行刻蚀使其变薄厚度，使其达到预期的厚度。
8)将脉冲激光做作用于减薄后的碳纳米管阵列膜后将会产生高频超声信号。
本发明方法工艺简单，操作方便，制备的高频光声换能器性能良好。