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专利摘要

本发明一种无铅压电单晶高频超声换能器及其制备方法,涉及高频超声换能器技术领域。
所述高频超声换能器由声匹配层(1),发声材料(2),背衬层(3),金属外壳(4)组成,工作频率为20MHz至300MHz。
其中,声匹配层(1)为聚对二甲苯;发声材料(2)为无铅压电单晶高频压电元件;背衬层(3)为导电胶;金属外壳(4)为不锈钢材料。
高频超声换能器的制备方法,包括步骤:a.采用高居里温度的无铅压电单晶材料至l.将单晶元件封装在金属外壳内……。
特别通过机械减薄‑化学机械减薄‑反应离子刻蚀相结合的减薄方法,将无铅压电单晶材料制成一种高性能无铅单晶元件,并以此元件制备一种换能器,解决了高频与铅污染问题。

专利状态

基础信息

专利号
CN201710329558.8
申请日
2017-05-11
公开日
2017-08-04
公开号
CN107008636A
主分类号
/B/B06/ 作业;运输
标准类别
一般机械振动的发生或传递
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

赵祥永 马金鹏 王飞飞 唐艳学 范方元 薛赛东 段志华 张毅 石旺舟

申请人

上海师范大学

申请人地址

200234 上海市徐汇区桂林路100号

专利摘要

本发明一种无铅压电单晶高频超声换能器及其制备方法,涉及高频超声换能器技术领域。
所述高频超声换能器由声匹配层(1),发声材料(2),背衬层(3),金属外壳(4)组成,工作频率为20MHz至300MHz。
其中,声匹配层(1)为聚对二甲苯;发声材料(2)为无铅压电单晶高频压电元件;背衬层(3)为导电胶;金属外壳(4)为不锈钢材料。
高频超声换能器的制备方法,包括步骤:a.采用高居里温度的无铅压电单晶材料至l.将单晶元件封装在金属外壳内……。
特别通过机械减薄‑化学机械减薄‑反应离子刻蚀相结合的减薄方法,将无铅压电单晶材料制成一种高性能无铅单晶元件,并以此元件制备一种换能器,解决了高频与铅污染问题。

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