本发明提供了一种晶体切割装置及方法，涉及材料切割技术领域，晶体切割装置将工作台、切割机构、调晶机构和晶向检测机构集成一体化；调晶机构包括旋转机构和俯仰机构，晶向检测机构包括移动台、旋转装置、检测装置和电流表。
晶体切割方法包括：将待切割晶体固定在料盘上；通过调晶机构在其自身旋转方向上调整待切割晶体的空间姿态，使得电流表达到峰值；再将晶向检测机构的检测装置旋转90°，通过调晶机构在其俯仰方向上调整待切割晶体的空间姿态，使得电流表达到峰值；锁定调晶机构，对待切割晶体进行切割。
采用本申请的晶体切割装置及方法，切割出来的晶片晶向精度高，表面质量好，切割效率高。

吴学宾 周立庆 郝禄 侯晓敏 吴卿

北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）

100176 北京市经济技术开发区泰河三街1号

本发明提供了一种晶体切割装置及方法，涉及材料切割技术领域，晶体切割装置将工作台、切割机构、调晶机构和晶向检测机构集成一体化；调晶机构包括旋转机构和俯仰机构，晶向检测机构包括移动台、旋转装置、检测装置和电流表。
晶体切割方法包括：将待切割晶体固定在料盘上；通过调晶机构在其自身旋转方向上调整待切割晶体的空间姿态，使得电流表达到峰值；再将晶向检测机构的检测装置旋转90°，通过调晶机构在其俯仰方向上调整待切割晶体的空间姿态，使得电流表达到峰值；锁定调晶机构，对待切割晶体进行切割。
采用本申请的晶体切割装置及方法，切割出来的晶片晶向精度高，表面质量好，切割效率高。