本发明提供在切割时能够将半导体晶圆良好地单片化、在封装时能够防止封装裂纹的产生的半导体加工用带。
本发明的半导体加工用带(10)的特征在于，其具有：含有基材膜(11)和粘合剂层(12)的切割带(13)、设置在上述粘合剂层(12)上且用于保护半导体芯片的背面的金属层(14)、和设置在上述金属层(14)上且用于将上述金属层(14)粘接到半导体芯片的背面上的粘接剂层(15)，上述金属层(14)的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm。

青山真沙美 佐野透

古河电气工业株式会社

日本国东京都千代田区丸内2丁目2番3号

本发明提供在切割时能够将半导体晶圆良好地单片化、在封装时能够防止封装裂纹的产生的半导体加工用带。
本发明的半导体加工用带(10)的特征在于，其具有：含有基材膜(11)和粘合剂层(12)的切割带(13)、设置在上述粘合剂层(12)上且用于保护半导体芯片的背面的金属层(14)、和设置在上述金属层(14)上且用于将上述金属层(14)粘接到半导体芯片的背面上的粘接剂层(15)，上述金属层(14)的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm。