提供为适于细线电路形成的低粗糙度的粗糙化处理铜箔、并且该粗糙化处理铜箔在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率优异、而且电路密合性也优异的表面轮廓。
本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，粗糙化处理面是具备多个具有收缩部分的一次粗糙化颗粒而成的，一次粗糙化颗粒在包含收缩部分的表面具有多个比一次粗糙化颗粒小的二次粗糙化颗粒，收缩部分的二次粗糙化颗粒的个数除以收缩部分的表面积所得的值即二次粗糙化颗粒密度为9～30个/μm2，并且粗糙化处理面的微观不平度十点高度Rz为0.7～1.7μm。

加藤翼 松田光由 饭田浩人 高梨哲聪 吉川和广

三井金属矿业株式会社

日本东京都

提供为适于细线电路形成的低粗糙度的粗糙化处理铜箔、并且该粗糙化处理铜箔在用于SAP法时能对层叠体赋予不仅对化学镀铜的蚀刻性及干膜分辨率优异、而且电路密合性也优异的表面轮廓。
本发明的粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，粗糙化处理面是具备多个具有收缩部分的一次粗糙化颗粒而成的，一次粗糙化颗粒在包含收缩部分的表面具有多个比一次粗糙化颗粒小的二次粗糙化颗粒，收缩部分的二次粗糙化颗粒的个数除以收缩部分的表面积所得的值即二次粗糙化颗粒密度为9～30个/μm2，并且粗糙化处理面的微观不平度十点高度Rz为0.7～1.7μm。