本发明公开了一种制备全部覆盖侧面电极的方法,属于光电子技术领域。
步骤包括:A.清洗干燥;B.沉积钝化层;C.光刻刻蚀区;D.台面刻蚀;E.沉积金属;F.腐蚀钝化层;G.退火。
通过本制备方法制备的侧面电极全部覆盖的微纳电子器件,可以降低电极接触所产生的非线性结电容和接触电阻,降低由电极接触带来的器件损耗,提升器件性能和稳定性;同时,本制备方法简单,电极可靠性高。
王文杰 谢武泽 李舒啸 安宁 李倩 曾建平
中国工程物理研究院电子工程研究所
621999 四川省绵阳市游仙区绵山路64号
本发明公开了一种制备全部覆盖侧面电极的方法,属于光电子技术领域。
步骤包括:A.清洗干燥;B.沉积钝化层;C.光刻刻蚀区;D.台面刻蚀;E.沉积金属;F.腐蚀钝化层;G.退火。
通过本制备方法制备的侧面电极全部覆盖的微纳电子器件,可以降低电极接触所产生的非线性结电容和接触电阻,降低由电极接触带来的器件损耗,提升器件性能和稳定性;同时,本制备方法简单,电极可靠性高。