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专利摘要

本发明提供了一种集成内部金属屏蔽层的光电神经探针及制备方法,包括:电生理信号记录通道,用于将神经电信号从电极点传导至采集系统的通路;激光二极管供电通道,用于将脉冲式的电流或者电压信号传导至神经探针基部的焊盘处用于驱动激光二极管工作的通路;金属屏蔽层,集成于电生理信号记录通道与激光二极管供电通道之间。
本发明不但具有神经信号记录和光刺激功能,其在探针基部集成的中间金属屏蔽层,将电生理信号记录通道和激光二极管的供电通道分层隔离,使电生理通道记录到的电磁干扰产生的刺激跟随伪迹有很大的衰减,降低了在动物体内进行光遗传实验中刺激跟随伪迹对神经动作电位造成的污染。
本发明采用MEMS工艺,具有较高的复现性。

专利状态

基础信息

专利号
CN201911357618.2
申请日
2019-12-25
公开日
2021-06-29
公开号
CN111134654B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

刘景全 王隆春 郭哲俊 吉博文 奚野

申请人

上海交通大学

申请人地址

200240 上海市闵行区东川路800号

专利摘要

本发明提供了一种集成内部金属屏蔽层的光电神经探针及制备方法,包括:电生理信号记录通道,用于将神经电信号从电极点传导至采集系统的通路;激光二极管供电通道,用于将脉冲式的电流或者电压信号传导至神经探针基部的焊盘处用于驱动激光二极管工作的通路;金属屏蔽层,集成于电生理信号记录通道与激光二极管供电通道之间。
本发明不但具有神经信号记录和光刺激功能,其在探针基部集成的中间金属屏蔽层,将电生理信号记录通道和激光二极管的供电通道分层隔离,使电生理通道记录到的电磁干扰产生的刺激跟随伪迹有很大的衰减,降低了在动物体内进行光遗传实验中刺激跟随伪迹对神经动作电位造成的污染。
本发明采用MEMS工艺,具有较高的复现性。

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