本发明提供一种提高高深宽比钨合金刻蚀均匀性的方法，步骤包括：在钨合金基底上生长硬掩膜；在硬掩膜上旋涂第一层光刻胶，经光刻、显影，形成第一层光刻胶图形；依据该第一层光刻胶图形刻蚀硬掩膜，形成硬掩膜图形；旋涂第二层光刻胶，经光刻、显影，形成第二层光刻胶图形；依据该第二层光刻胶图形进行第一次钨合金刻蚀，在开口面积较小区域的钨合金基底上刻蚀的深度达到负载效应量；去除剩余的第二层光刻胶，依据上述硬掩膜图形进行第二次钨合金刻蚀，以在开口面积较大和较小区域的钨合金基底上刻蚀到同等深度。

陈兢 李轩扬 宋璐 夏雁鸣

北京大学

100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学

本发明提供一种提高高深宽比钨合金刻蚀均匀性的方法，步骤包括：在钨合金基底上生长硬掩膜；在硬掩膜上旋涂第一层光刻胶，经光刻、显影，形成第一层光刻胶图形；依据该第一层光刻胶图形刻蚀硬掩膜，形成硬掩膜图形；旋涂第二层光刻胶，经光刻、显影，形成第二层光刻胶图形；依据该第二层光刻胶图形进行第一次钨合金刻蚀，在开口面积较小区域的钨合金基底上刻蚀的深度达到负载效应量；去除剩余的第二层光刻胶，依据上述硬掩膜图形进行第二次钨合金刻蚀，以在开口面积较大和较小区域的钨合金基底上刻蚀到同等深度。