目录

专利摘要

一种陶瓷微结构石墨烯气体传感器及其制造方法,本发明属于传感器技术领域,具体涉及一种陶瓷微结构石墨烯气体传感器及其制造方法。
本发明是为了解决陶瓷异质材料上石墨烯CVD生长、修饰困难和传感器结构尺寸大的问题。
本发明采用MEMS工艺技术在陶瓷异质材料基片制作传感器加热电阻和信号输出电极,采用PVD技术在基片上制作石墨烯生长的种子层,用CVD技术实现石墨烯在种子层上的生长,用化学修饰手段实现对石墨的功能化修饰,完成石墨烯气体传感器的制备。
本发明的传感器具有性能高、尺寸小的特点,通过传感单元的阵列化集成用于多种气体浓度同时检测。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910161174.9
申请日
2019-03-04
公开日
2019-06-18
公开号
CN109896499A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

杨永超 刘继江 刘玺 秦浩 王成杨 王洋洋

申请人

中国电子科技集团公司第四十九研究所

申请人地址

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号

专利摘要

一种陶瓷微结构石墨烯气体传感器及其制造方法,本发明属于传感器技术领域,具体涉及一种陶瓷微结构石墨烯气体传感器及其制造方法。
本发明是为了解决陶瓷异质材料上石墨烯CVD生长、修饰困难和传感器结构尺寸大的问题。
本发明采用MEMS工艺技术在陶瓷异质材料基片制作传感器加热电阻和信号输出电极,采用PVD技术在基片上制作石墨烯生长的种子层,用CVD技术实现石墨烯在种子层上的生长,用化学修饰手段实现对石墨的功能化修饰,完成石墨烯气体传感器的制备。
本发明的传感器具有性能高、尺寸小的特点,通过传感单元的阵列化集成用于多种气体浓度同时检测。

相似专利技术