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专利摘要

本发明提出一种MEMS电容式压力传感器及制备方法,该MEMS电容式压力传感器包括:堆叠的第一衬底和第二衬底;压力敏感膜,设置在第一衬底的上表面;第一凹槽,设置在第一衬底的下表面,与该压力敏感膜相对;电介质块,设置在该压力敏感膜的下表面,位于所述第一凹槽中;第二凹槽,设置在该第二衬底的上表面,与该第一凹槽形成真空腔;第三凹槽和第四凹槽,环绕并间隔所述第二凹槽设置在所述第二衬底的下表面;绝缘层,设置在所述第二衬底的下表面;第一电极,设置在所述第三凹槽邻近所述第二凹槽的侧壁的所述绝缘层上;第二电极,设置在该第四凹槽邻近该第二凹槽的侧壁的该绝缘层上。
该传感器具有更高的线性度并改善其电极引出可靠性。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011346703.1
申请日
2020-11-26
公开日
2020-12-25
公开号
CN112125275A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

李维平 崔艳凤 兰之康

申请人

南京高华科技股份有限公司

申请人地址

210046 江苏省南京市经济开发区栖霞大道66号

专利摘要

本发明提出一种MEMS电容式压力传感器及制备方法,该MEMS电容式压力传感器包括:堆叠的第一衬底和第二衬底;压力敏感膜,设置在第一衬底的上表面;第一凹槽,设置在第一衬底的下表面,与该压力敏感膜相对;电介质块,设置在该压力敏感膜的下表面,位于所述第一凹槽中;第二凹槽,设置在该第二衬底的上表面,与该第一凹槽形成真空腔;第三凹槽和第四凹槽,环绕并间隔所述第二凹槽设置在所述第二衬底的下表面;绝缘层,设置在所述第二衬底的下表面;第一电极,设置在所述第三凹槽邻近所述第二凹槽的侧壁的所述绝缘层上;第二电极,设置在该第四凹槽邻近该第二凹槽的侧壁的该绝缘层上。
该传感器具有更高的线性度并改善其电极引出可靠性。

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