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专利摘要

本发明公开了一种大幅面阵列飞秒激光微流控芯片直印设备及其方法。
利用调控输出的激光光束状态多参数可调的大幅面阵列飞秒激光实现大幅面激光干涉,结合对大幅面阵列飞秒激光干涉状态、干涉组合及曝光方式的调控,经多次曝光叠加输出微流控芯片待加工图案,实现对微流控芯片的直印加工。
本发明能够实现微流控芯片的快速加工,提高了微流控芯片的加工效率,缩短了微流控芯片加工周期,在加工具有复杂三维结构的微流控芯片方面具有显著的优势,具有广泛的应用前景。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010863837.4
申请日
2020-08-25
公开日
2021-01-01
公开号
CN112156819A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

曾和平 杨川 胡梦云 袁帅

申请人

华东师范大学重庆研究院 华东师范大学

申请人地址

401123 重庆市渝北区卉竹路2号1号楼1-2层1、2号房

专利摘要

本发明公开了一种大幅面阵列飞秒激光微流控芯片直印设备及其方法。
利用调控输出的激光光束状态多参数可调的大幅面阵列飞秒激光实现大幅面激光干涉,结合对大幅面阵列飞秒激光干涉状态、干涉组合及曝光方式的调控,经多次曝光叠加输出微流控芯片待加工图案,实现对微流控芯片的直印加工。
本发明能够实现微流控芯片的快速加工,提高了微流控芯片的加工效率,缩短了微流控芯片加工周期,在加工具有复杂三维结构的微流控芯片方面具有显著的优势,具有广泛的应用前景。

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