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专利摘要

半导体装置以及制造半导体装置的方法。
一种半导体装置,其包括:第一电子装置,所述第一电子装置包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;以及阻挡件,所述阻挡件耦合到所述第一电子装置的所述第二表面并且包括:第一膜,所述第一膜包含:第一阻挡体;以及第一阻挡线股,所述第一阻挡线股由所述第一阻挡体界定并且限定第一穿孔,其中至少一个第一穿孔具有一对邻近的第一阻挡线股之间的第一尺寸;以及减小结构,所述减小结构耦合到所述第一膜以减小所述第一尺寸。
本文还公开了其它实例和相关方法。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010562496.7
申请日
2020-06-18
公开日
2020-12-22
公开号
CN112110409A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

杨基业 柳坤汉 尹锡勋 波拉·巴洛格鲁 邱翰 拉马肯斯·阿拉帕蒂

申请人

安靠科技新加坡控股私人有限公司

申请人地址

新加坡市

专利摘要

半导体装置以及制造半导体装置的方法。
一种半导体装置,其包括:第一电子装置,所述第一电子装置包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;以及阻挡件,所述阻挡件耦合到所述第一电子装置的所述第二表面并且包括:第一膜,所述第一膜包含:第一阻挡体;以及第一阻挡线股,所述第一阻挡线股由所述第一阻挡体界定并且限定第一穿孔,其中至少一个第一穿孔具有一对邻近的第一阻挡线股之间的第一尺寸;以及减小结构,所述减小结构耦合到所述第一膜以减小所述第一尺寸。
本文还公开了其它实例和相关方法。

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