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专利摘要

本发明描述了微机电系统(MEMS)传感器和相关的偏置电压技术。
示例性MEMS传感器,诸如本文描述的示例性MEMS声学传感器或麦克风,可以采用一个或多个偏置电压发生器和单端或差分放大器布置。
所描述的各种实施例可以有效地增加传感器元件可用的偏置电压,而不需要采用高击穿电压半导体工艺。
另外,基于许多因素的考虑,描述了在各种操作模式下对一个或多个偏置电压发生器的控制。

专利状态

基础信息

专利号
CN201780026534.3
申请日
2017-04-27
公开日
2019-01-04
公开号
CN109155890A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

基耶朗·哈尼 亚得里安努斯·玛莉亚·拉福德 布莱恩·摩斯 迪昂·伊弗·德·卢

申请人

应美盛公司

申请人地址

美国加州

专利摘要

本发明描述了微机电系统(MEMS)传感器和相关的偏置电压技术。
示例性MEMS传感器,诸如本文描述的示例性MEMS声学传感器或麦克风,可以采用一个或多个偏置电压发生器和单端或差分放大器布置。
所描述的各种实施例可以有效地增加传感器元件可用的偏置电压,而不需要采用高击穿电压半导体工艺。
另外,基于许多因素的考虑,描述了在各种操作模式下对一个或多个偏置电压发生器的控制。

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