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专利摘要

本申请公开了一种扭矩传感器及其制造方法,包括衬底;外延层,位于所述衬底上;多个第一掺杂区和多个第二掺杂区,分别位于所述外延层中;多个第一欧姆接触区,位于所述第一掺杂区的两端;多个第二欧姆接触区,位于所述第二掺杂区的两端;以及第一隔离结构,位于所述外延层和所述衬底中,包围所述第一掺杂区和第二掺杂区。
本发明的扭矩传感器通过额外设置弯矩感测单元,同时获得扭矩感测信号和弯矩信号,采用弯矩信号对扭矩感测信号进行补偿,消除弯矩对扭矩感测信号的影响,可以提高测量的扭矩值的准确度。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010920299.8
申请日
2020-09-04
公开日
2020-12-15
公开号
CN112079327A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

汪建平 邓登峰

申请人

杭州士兰微电子股份有限公司

申请人地址

310012 浙江省杭州市黄姑山路4号

专利摘要

本申请公开了一种扭矩传感器及其制造方法,包括衬底;外延层,位于所述衬底上;多个第一掺杂区和多个第二掺杂区,分别位于所述外延层中;多个第一欧姆接触区,位于所述第一掺杂区的两端;多个第二欧姆接触区,位于所述第二掺杂区的两端;以及第一隔离结构,位于所述外延层和所述衬底中,包围所述第一掺杂区和第二掺杂区。
本发明的扭矩传感器通过额外设置弯矩感测单元,同时获得扭矩感测信号和弯矩信号,采用弯矩信号对扭矩感测信号进行补偿,消除弯矩对扭矩感测信号的影响,可以提高测量的扭矩值的准确度。

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