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专利摘要

本发明涉及传感器技术领域,具体涉及一种嵌入式微纳传感器及其制备方法,它包括金属衬底、粘附层、介电层、传感器层、种子层、嵌入层;所述金属衬底上设置有一层粘附层,该层粘附层上设置有一层介电层,该介电层上设置有传感器层,该传感器层上再设置有一层介电层;所述传感器层上的介电层上设置一层粘附层,该粘附层上设置有一层种子层,该种子层上设置有嵌入层;它采用在微型硅衬底上制作传感器之后将其转移到电镀金属上,电镀金属拥有硅衬底的表面光滑性,从而消除了在金属上直接制造传感器的问题;也解决了通过SU‑8光刻工艺分离单个传感器的问题。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910529092.5
申请日
2019-06-18
公开日
2020-12-18
公开号
CN112093772A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

周文生 高为雄 程亚娟

申请人

苏州工业园区洛加大先进技术研究院

申请人地址

215000 江苏省苏州市工业园区月亮湾路10号慧湖大厦A1201

专利摘要

本发明涉及传感器技术领域,具体涉及一种嵌入式微纳传感器及其制备方法,它包括金属衬底、粘附层、介电层、传感器层、种子层、嵌入层;所述金属衬底上设置有一层粘附层,该层粘附层上设置有一层介电层,该介电层上设置有传感器层,该传感器层上再设置有一层介电层;所述传感器层上的介电层上设置一层粘附层,该粘附层上设置有一层种子层,该种子层上设置有嵌入层;它采用在微型硅衬底上制作传感器之后将其转移到电镀金属上,电镀金属拥有硅衬底的表面光滑性,从而消除了在金属上直接制造传感器的问题;也解决了通过SU‑8光刻工艺分离单个传感器的问题。

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