为了解决现有焦磷酸硅的制备方法难以保证焦磷酸硅的纯度，以及所得焦磷酸硅中金属杂质含量无法满足半导体掺杂磷扩散源技术指标要求的技术问题，本发明提供了一种半导体掺杂磷扩散源用的添加剂焦磷酸硅的制备方法包括步骤：1、纯化二氧化硅原料；2、合成碱性硅溶胶mSiO

刘鹏 王江哲 俞小瑞 刘明钢

刘鹏

710061 陕西省西安市雁塔区朱雀大街二零一号西1号楼208号

为了解决现有焦磷酸硅的制备方法难以保证焦磷酸硅的纯度，以及所得焦磷酸硅中金属杂质含量无法满足半导体掺杂磷扩散源技术指标要求的技术问题，本发明提供了一种半导体掺杂磷扩散源用的添加剂焦磷酸硅的制备方法包括步骤：1、纯化二氧化硅原料；2、合成碱性硅溶胶mSiO