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专利摘要

本发明涉及一种制备低表面活性氘化铈的方法,属于材料科学与核技术领域。
目的是为了解决氘化铈表面活性高,容易受到空气腐蚀,在高温条件下不稳定而导致应用困难的问题。
所得改性氘化铈表面能够很好地覆盖一层均匀的聚脲,显著降低了氘化铈的表面活性,使其能够在自然环境中长久稳定的保存而不变质,并且在200℃以下不会与空气反应发生自燃现象,有利于氘化铈在高能量密度材料以及核材料中的应用,并可作为清洁能源的载体,打开世界能源应用新的大门;改性与制备方法简洁,改性试剂易得,操作简单;制备过程无三废排放,并具有普适性,适合大规模生产。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010899949.5
申请日
2020-08-31
公开日
2020-12-22
公开号
CN112110414A
主分类号
/C/C01/ 化学;冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

刘吉平 李年华

申请人

北京理工大学

申请人地址

100081 北京市海淀区中关村南大街5号

专利摘要

本发明涉及一种制备低表面活性氘化铈的方法,属于材料科学与核技术领域。
目的是为了解决氘化铈表面活性高,容易受到空气腐蚀,在高温条件下不稳定而导致应用困难的问题。
所得改性氘化铈表面能够很好地覆盖一层均匀的聚脲,显著降低了氘化铈的表面活性,使其能够在自然环境中长久稳定的保存而不变质,并且在200℃以下不会与空气反应发生自燃现象,有利于氘化铈在高能量密度材料以及核材料中的应用,并可作为清洁能源的载体,打开世界能源应用新的大门;改性与制备方法简洁,改性试剂易得,操作简单;制备过程无三废排放,并具有普适性,适合大规模生产。

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