一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法 下载此专利PDF版本

CN202010177721.5 晶体 单层 硫化 掺杂

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专利摘要

本发明公开了一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域。
该Mn掺杂单层WS

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 有效专利

基础信息

专利号
CN202010177721.5
申请日
2020-03-13
公开日
2021-06-15
公开号
CN111285401B
主分类号
/C/C01/ 化学；冶金
标准类别
无机化学
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

聂安民 王冲 康梦克 向建勇 柳忠元 田永君

申请人

燕山大学

申请人地址

066004 河北省秦皇岛市海港区河北大街438号

专利摘要

本发明公开了一种锰掺杂单层二硫化钨二维晶体的制备方法，属于无机半导体纳米材料制备领域。
该Mn掺杂单层WS

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