本发明公开一种无定形锗基纳米线的制备方法，以CaGe2作为锗源分散于去离子水中，或加入有机溶剂乙腈或DMF作为混合溶剂，在室温下快速搅拌反应。
然后离心，取上层液体分别用甲醇(或异丙醇)、去离子水洗涤三次后，80℃下在真空干燥箱中干燥，得到水化的Ca5Ge2O9纳米线，再经退火即可得到无定形的Ca5Ge2O9纳米线。
本发明不同于传统的化学气相沉积，模板法、分子束外延、电子束蒸发，其合成温度低，工艺简单，成本低廉。

封伟 赵付来 王宇 张鑫 李瑀 冯奕钰

天津大学

300072 天津市南开区卫津路92号

本发明公开一种无定形锗基纳米线的制备方法，以CaGe2作为锗源分散于去离子水中，或加入有机溶剂乙腈或DMF作为混合溶剂，在室温下快速搅拌反应。
然后离心，取上层液体分别用甲醇(或异丙醇)、去离子水洗涤三次后，80℃下在真空干燥箱中干燥，得到水化的Ca5Ge2O9纳米线，再经退火即可得到无定形的Ca5Ge2O9纳米线。
本发明不同于传统的化学气相沉积，模板法、分子束外延、电子束蒸发，其合成温度低，工艺简单，成本低廉。