本发明公开了一种用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺，其中用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层的原料及配比构成如下：高纯钛碳化硅60‑80wt.％；高纯碳化硼20‑40wt.％；高纯硅，添加质量为高纯钛碳化硅和高纯碳化硼总质量的1‑35wt.％。
本发明利用放电等离子烧结技术，在真空条件下制备了连接层厚度为50‑200μm的SiC接头，室温下最高的剪切强度达到了168.3MPa；连接层复合材料硬度可达28.7GPa，超过了SiC母材的硬度，具有较高的实用价值。
由于连接层材料是由与碳化硅性能相近的复相陶瓷组成，因此连接件的抗氧化和耐腐蚀等性能也将得到提高。

钟志宏 王志泉 李华鑫 孙博文 宋奎晶 朱志雄

合肥工业大学

230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号

本发明公开了一种用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层及其连接工艺，其中用于扩散连接碳化硅陶瓷的复合中间层的原料及配比构成如下：高纯钛碳化硅60‑80wt.％；高纯碳化硼20‑40wt.％；高纯硅，添加质量为高纯钛碳化硅和高纯碳化硼总质量的1‑35wt.％。
本发明利用放电等离子烧结技术，在真空条件下制备了连接层厚度为50‑200μm的SiC接头，室温下最高的剪切强度达到了168.3MPa；连接层复合材料硬度可达28.7GPa，超过了SiC母材的硬度，具有较高的实用价值。
由于连接层材料是由与碳化硅性能相近的复相陶瓷组成，因此连接件的抗氧化和耐腐蚀等性能也将得到提高。