本发明属于非氧化物陶瓷连接技术领域，公开了一种新型核用碳化硅陶瓷的连接方法及其制备的碳化硅陶瓷，该方法将连接材料聚碳硅烷、硅粉和含碳有机物，加入溶剂和球磨介质经混料干燥后，将得到的混合粉体与溶剂混合，经超声分散制备得到浆料，将浆料涂于连接母材SiC陶瓷表面，在真空条件下，升温至1000～1300℃并保温Ⅰ，再在真空或者氩气条件下，升温至1400～1600℃保温Ⅱ，实现SiC陶瓷材料的致密连接，制得具有致密连接层的SiC陶瓷，该陶瓷的连接层厚度为1～20μm，室温下剪切强度为80～150MPa，在1200℃下的剪切强度为100～200MPa，连接层的漏率为0～1×10‑5Pa·L/s。

郭伟明 吴利翔 牛文彬 卫紫君 林锐霖 刘秋宇 林华泰

广东工业大学

510062 广东省广州市大学城外环西路100号

本发明属于非氧化物陶瓷连接技术领域，公开了一种新型核用碳化硅陶瓷的连接方法及其制备的碳化硅陶瓷，该方法将连接材料聚碳硅烷、硅粉和含碳有机物，加入溶剂和球磨介质经混料干燥后，将得到的混合粉体与溶剂混合，经超声分散制备得到浆料，将浆料涂于连接母材SiC陶瓷表面，在真空条件下，升温至1000～1300℃并保温Ⅰ，再在真空或者氩气条件下，升温至1400～1600℃保温Ⅱ，实现SiC陶瓷材料的致密连接，制得具有致密连接层的SiC陶瓷，该陶瓷的连接层厚度为1～20μm，室温下剪切强度为80～150MPa，在1200℃下的剪切强度为100～200MPa，连接层的漏率为0～1×10‑5Pa·L/s。