包含复合颗粒如二氧化铈涂布的二氧化硅颗粒的化学机械平面化(CMP)抛光组合物提供了在不同膜之间可调整的抛光去除选择性值。
组合物能够实现对互联金属和二氧化硅介电质的高去除速率而同时提供对低K介电质、a‑Si和钨膜的抛光停止。
化学机械平面化(CMP)抛光组合物已经使用软抛光垫显示了优异性能。

史晓波 J·A·施吕特 M·L·奥尼尔 D·C·坦姆伯利

弗萨姆材料美国有限责任公司

美国亚利桑那州

包含复合颗粒如二氧化铈涂布的二氧化硅颗粒的化学机械平面化(CMP)抛光组合物提供了在不同膜之间可调整的抛光去除选择性值。
组合物能够实现对互联金属和二氧化硅介电质的高去除速率而同时提供对低K介电质、a‑Si和钨膜的抛光停止。
化学机械平面化(CMP)抛光组合物已经使用软抛光垫显示了优异性能。