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专利摘要

本发明提供了一种单晶金刚石晶片的双面化学机械抛光方法,属于超精密加工技术领域。
该方法包括粗抛和精抛两个阶段,其中粗抛采用聚氨酯抛光垫,精抛采用绒布抛光垫;粗抛和精抛时滴加不同配方的抛光液并设置不同的抛光参数,其中,粗、精抛时抛光液的主要成分包括碳化硼、氧化铈等磨粒,熊果酸、碘酒、煤油等化学试剂。
本发明提供的双面抛光方法可实现单晶金刚石晶片材料的快速去除,并保证抛光表面的超低损伤及超光滑,研制的抛光液绿色环保。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010155949.4
申请日
2020-03-09
公开日
2020-07-17
公开号
CN111421391A
主分类号
/C/C09/ 化学;冶金
标准类别
染料;涂料;抛光剂;天然树脂;黏合剂;其他类目不包含的组合物;其他类目不包含的材料的应用
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

张振宇 廖龙兴 谢文祥 刘杰

申请人

大连理工大学

申请人地址

116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号

专利摘要

本发明提供了一种单晶金刚石晶片的双面化学机械抛光方法,属于超精密加工技术领域。
该方法包括粗抛和精抛两个阶段,其中粗抛采用聚氨酯抛光垫,精抛采用绒布抛光垫;粗抛和精抛时滴加不同配方的抛光液并设置不同的抛光参数,其中,粗、精抛时抛光液的主要成分包括碳化硼、氧化铈等磨粒,熊果酸、碘酒、煤油等化学试剂。
本发明提供的双面抛光方法可实现单晶金刚石晶片材料的快速去除,并保证抛光表面的超低损伤及超光滑,研制的抛光液绿色环保。

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