本发明公开了一种化学机械抛光液，所述抛光液包含研磨颗粒、金属缓蚀剂、络合剂、氧化剂，阴离子型氟碳表面活性剂和水。
本发明的抛光液具有高的阻挡层和二氧化硅(TEOS)的去除速率，并能很好的控制超低介电常数材料(ULK)的去除速率，同时对半导体器件表面的形貌有很强的矫正能力，快速实现平坦化，提高工作效率，降低生产成本。

宋凯 姚颖 荆建芬 蔡鑫元 汪国豪 李恒

安集微电子(上海)有限公司

201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路889号1幢E座第1至第2层，以及第3层的部分区域

本发明公开了一种化学机械抛光液，所述抛光液包含研磨颗粒、金属缓蚀剂、络合剂、氧化剂，阴离子型氟碳表面活性剂和水。
本发明的抛光液具有高的阻挡层和二氧化硅(TEOS)的去除速率，并能很好的控制超低介电常数材料(ULK)的去除速率，同时对半导体器件表面的形貌有很强的矫正能力，快速实现平坦化，提高工作效率，降低生产成本。