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专利摘要

本发明公开了一种基于电磁力的应力波孔强化装置和方法,用于解决现有强化装置实用性差的技术问题。
技术方案是强化装置中,整流可控硅M1,M2和整流二极管D1,D2形成整流桥,整流桥将380V交流电变为直流电,对脉冲电容C1进行充电,充电完成后,导通放电可控硅M3,脉冲电容C1将能量瞬间释放,第一初级线圈,第二初级线圈与第一次级线圈,第二次级线圈之间产生巨大的涡流斥力,产生应力波,应力波通过第一应力波放大器,第二应力波放大器放大后传递到第一冲击头,第二冲击头上,第一冲击头,第二冲击头冲击试件,形成残余压应力。
由于强化的效果直接取决于应力波的幅值和脉宽,因此对初孔的精度没有任何要求,实用性好。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910510354.3
申请日
2019-06-13
公开日
2019-08-27
公开号
CN110172557A
主分类号
/C/C21/ 化学;冶金
标准类别
铁的冶金
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

曹增强 郑国 常亚南 党成龙 魏凌峰

申请人

西北工业大学

申请人地址

710072 陕西省西安市友谊西路127号

专利摘要

本发明公开了一种基于电磁力的应力波孔强化装置和方法,用于解决现有强化装置实用性差的技术问题。
技术方案是强化装置中,整流可控硅M1,M2和整流二极管D1,D2形成整流桥,整流桥将380V交流电变为直流电,对脉冲电容C1进行充电,充电完成后,导通放电可控硅M3,脉冲电容C1将能量瞬间释放,第一初级线圈,第二初级线圈与第一次级线圈,第二次级线圈之间产生巨大的涡流斥力,产生应力波,应力波通过第一应力波放大器,第二应力波放大器放大后传递到第一冲击头,第二冲击头上,第一冲击头,第二冲击头冲击试件,形成残余压应力。
由于强化的效果直接取决于应力波的幅值和脉宽,因此对初孔的精度没有任何要求,实用性好。

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