本申请提供一种铜钼膜层的蚀刻方法、阵列基板，该铜钼膜层的蚀刻方法包括：在基板上形成铜钼膜层；在所述铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶；使用呈酸性的第一蚀刻液对所述铜钼膜层上的铜膜层进行蚀刻；使用呈中性或碱性的第二蚀刻液对所述铜钼膜层上的钼膜层进行蚀刻，形成具有所述预定图案的铜钼金属层。
本申请针对铜金属和钼金属发生腐蚀的电位区间差异，采用不同pH值的蚀刻液，仅通过控制铜或钼单层金属的蚀刻工程以进行铜钼膜层的分段蚀刻。

梅园

TCL华星光电技术有限公司

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本申请提供一种铜钼膜层的蚀刻方法、阵列基板，该铜钼膜层的蚀刻方法包括：在基板上形成铜钼膜层；在所述铜钼膜层上形成预定图案的光刻胶；使用呈酸性的第一蚀刻液对所述铜钼膜层上的铜膜层进行蚀刻；使用呈中性或碱性的第二蚀刻液对所述铜钼膜层上的钼膜层进行蚀刻，形成具有所述预定图案的铜钼金属层。
本申请针对铜金属和钼金属发生腐蚀的电位区间差异，采用不同pH值的蚀刻液，仅通过控制铜或钼单层金属的蚀刻工程以进行铜钼膜层的分段蚀刻。