本发明涉及以纳米金刚石粉为赝模板制备多孔掺硼金刚石电极的方法，属于电极材料的制备技术领域。
本发明解决的技术问题是现有技术制备三维BDD电极工艺复杂、耗时成本高。
本发明公开了以纳米金刚石粉为赝模板制备多孔掺硼金刚石电极的方法，将纳米金刚石悬浮液滴到基底上，形成悬浮液薄膜，对悬浮液薄膜加热蒸发，纳米金刚石粉通过自组装在基底上形成多孔膜，然后放入微波等离子体化学气相沉积室进行沉积得到多孔掺硼金刚石电极。
本发明制备工艺无模板、无粘接剂、无湿法腐蚀步骤，有效降低了三维BDD电极制备工艺的复杂性和成本，提高了制备的可重复性，有益于BDD电极大面积大规模制备。

杜凯 汪建 何智兵 王涛 何小珊 易泰铭

中国工程物理研究院激光聚变研究中心

621900 四川省绵阳市游仙区绵山路64号

本发明涉及以纳米金刚石粉为赝模板制备多孔掺硼金刚石电极的方法，属于电极材料的制备技术领域。
本发明解决的技术问题是现有技术制备三维BDD电极工艺复杂、耗时成本高。
本发明公开了以纳米金刚石粉为赝模板制备多孔掺硼金刚石电极的方法，将纳米金刚石悬浮液滴到基底上，形成悬浮液薄膜，对悬浮液薄膜加热蒸发，纳米金刚石粉通过自组装在基底上形成多孔膜，然后放入微波等离子体化学气相沉积室进行沉积得到多孔掺硼金刚石电极。
本发明制备工艺无模板、无粘接剂、无湿法腐蚀步骤，有效降低了三维BDD电极制备工艺的复杂性和成本，提高了制备的可重复性，有益于BDD电极大面积大规模制备。