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专利摘要

本发明涉及掩膜板及其应用方法、封装层的制备方法,第一区域的掩膜板的重力与外界应力之和小于第二区域的掩膜板的重力,第一区域的掩膜板的重力与外界应力之和大于第三区域的掩膜板的重力,第二区域的掩膜板承受的力最大,第一区域的掩膜板产生较小的形变量,近似无形变,增大第一区域的掩膜板与玻璃基板之间的贴合面积,减小掩膜板边缘处形变区域的宽度。
第二区域、第三区域的掩膜板向上翘曲,第三区域的形变量大于第二区域的形变量,进而减小掩膜板边缘处形变区域与玻璃基板的距离,由此减小掩膜板边缘处与玻璃基板之间形成的缺口,减少镀膜时进入缺口的材料,减小镀膜时产生阴影的面积,提高镀膜的膜厚匀一性,提升封装层的可靠性。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010424943.2
申请日
2020-05-19
公开日
2021-07-23
公开号
CN111621742B
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

王衣可 龚建国

申请人

武汉华星光电半导体显示技术有限公司

申请人地址

430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室

专利摘要

本发明涉及掩膜板及其应用方法、封装层的制备方法,第一区域的掩膜板的重力与外界应力之和小于第二区域的掩膜板的重力,第一区域的掩膜板的重力与外界应力之和大于第三区域的掩膜板的重力,第二区域的掩膜板承受的力最大,第一区域的掩膜板产生较小的形变量,近似无形变,增大第一区域的掩膜板与玻璃基板之间的贴合面积,减小掩膜板边缘处形变区域的宽度。
第二区域、第三区域的掩膜板向上翘曲,第三区域的形变量大于第二区域的形变量,进而减小掩膜板边缘处形变区域与玻璃基板的距离,由此减小掩膜板边缘处与玻璃基板之间形成的缺口,减少镀膜时进入缺口的材料,减小镀膜时产生阴影的面积,提高镀膜的膜厚匀一性,提升封装层的可靠性。

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