本发明提出了一种单向性耐高温焊接接头的低温快速制造方法，通过双面直流电解沉积工艺，可以获得具有高密度单向性的双面纳米孪晶铜箔，且铜箔表面取向为(111)晶面；将(111)纳米孪晶铜箔在还原性气氛且300‑500℃下低温时效，在0.5‑4h内快速形成双面单晶铜箔，且单晶铜箔表面取向为(111)晶面；将单晶铜箔、锡箔堆叠后与覆铜碳化硅芯片焊接，利用平板热压与温度梯度回流工艺，在5‑10分钟内快速形成单向性Cu

张志昊 朱轶辰 操慧珺

厦门大学 厦门大学深圳研究院 厦门城市职业学院(厦门市广播电视大学)

361000 福建省厦门市思明区思明南路422号

本发明提出了一种单向性耐高温焊接接头的低温快速制造方法，通过双面直流电解沉积工艺，可以获得具有高密度单向性的双面纳米孪晶铜箔，且铜箔表面取向为(111)晶面；将(111)纳米孪晶铜箔在还原性气氛且300‑500℃下低温时效，在0.5‑4h内快速形成双面单晶铜箔，且单晶铜箔表面取向为(111)晶面；将单晶铜箔、锡箔堆叠后与覆铜碳化硅芯片焊接，利用平板热压与温度梯度回流工艺，在5‑10分钟内快速形成单向性Cu