采用离子辅助沉积可控制备超晶格Sb-Te/Bi-Sb-Te薄膜的方法 下载此专利PDF版本

CN202010258916.2 晶格 制备 沉积 离子 可控

目录

专利摘要

本发明是一种采用离子辅助沉积可控制备超晶格Sb‑Te/Bi‑Sb‑Te薄膜的方法，该方法采用FJL560CI2离子束辅助沉积系统，制备工艺包括：把质量百分比纯度为99.99％的Sb

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 审查中-实审

基础信息

专利号
CN202010258916.2
申请日
2020-04-03
公开日
2020-06-19
公开号
CN111304622A
主分类号
/C/C23/ 化学；冶金
标准类别
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

谭明 李辉 李聪 贾树恒 刘小标

申请人

河南农业大学

申请人地址

450002 河南省郑州市文化路95号

专利摘要

本发明是一种采用离子辅助沉积可控制备超晶格Sb‑Te/Bi‑Sb‑Te薄膜的方法，该方法采用FJL560CI2离子束辅助沉积系统，制备工艺包括：把质量百分比纯度为99.99％的Sb

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