利用天线高效率地产生溅射用的等离子体，并且使等离子体的均匀性提高而使成膜的均匀性提高。
本发明包括：真空容器2，被真空排气，并且被导入气体；基板保持部3，在真空容器2内保持基板W；靶材保持部4，在真空容器2内与基板W相向而保持靶材T；以及多个天线5，在内部具有冷却液所流通的流路；并且天线5包括：导体部件51，至少两个，且呈管状；绝缘部件52，设置于相互邻接的导体部件51之间，使所述导体部件51绝缘，且呈管状；以及电容元件53，与相互邻接的导体部件51电串联连接；电容元件53包括：第一电极53A，与相互邻接的导体部件51中的一者电连接；第二电极53B，与相互邻接的导体部件51中的另一者电连接，并且与第一电极53A相向而配置；以及电介质，填满第一电极53A与第二电极53B之间的空间；并且电介质为冷却液CL。

岸田茂明 松尾大辅 瀬戸口佳孝 安东靖典

日新电机株式会社

日本京都府京都市右京区梅津高亩町47番地

利用天线高效率地产生溅射用的等离子体，并且使等离子体的均匀性提高而使成膜的均匀性提高。
本发明包括：真空容器2，被真空排气，并且被导入气体；基板保持部3，在真空容器2内保持基板W；靶材保持部4，在真空容器2内与基板W相向而保持靶材T；以及多个天线5，在内部具有冷却液所流通的流路；并且天线5包括：导体部件51，至少两个，且呈管状；绝缘部件52，设置于相互邻接的导体部件51之间，使所述导体部件51绝缘，且呈管状；以及电容元件53，与相互邻接的导体部件51电串联连接；电容元件53包括：第一电极53A，与相互邻接的导体部件51中的一者电连接；第二电极53B，与相互邻接的导体部件51中的另一者电连接，并且与第一电极53A相向而配置；以及电介质，填满第一电极53A与第二电极53B之间的空间；并且电介质为冷却液CL。