本发明提供一种用于改善薄膜均匀性的镀膜设备，包括：腔体、沉积源、晶圆基座，靶材位于腔体的上部，磁铁位于靶材上方，晶圆基座位于腔体下部，晶圆基座包括基座表面及位于基座表面下方的平板电极，平板电极用于提供偏压场，平板电极被一个或多个绝缘环分为多个电极区域，每个被绝缘环分开的电极区均能独立产生一个脉冲直流偏压或者射频偏压，以在晶圆表面不同区域产生相同或者不同的负偏压。
本发明通过对平板电极的进行分区，由此可以根据晶圆表面不同区域的工艺需要设定不同的偏压大小，并通过调节各电极区域串联电阻的阻值来优化沉积薄膜的应力均匀性和方阻均匀性，能大幅提高沉积薄膜的品质，有助于提高生产良率。

周云 宋维聪 解文骏 方合

上海陛通半导体能源科技股份有限公司

201201 上海市浦东新区庆达路315号13幢3F

本发明提供一种用于改善薄膜均匀性的镀膜设备，包括：腔体、沉积源、晶圆基座，靶材位于腔体的上部，磁铁位于靶材上方，晶圆基座位于腔体下部，晶圆基座包括基座表面及位于基座表面下方的平板电极，平板电极用于提供偏压场，平板电极被一个或多个绝缘环分为多个电极区域，每个被绝缘环分开的电极区均能独立产生一个脉冲直流偏压或者射频偏压，以在晶圆表面不同区域产生相同或者不同的负偏压。
本发明通过对平板电极的进行分区，由此可以根据晶圆表面不同区域的工艺需要设定不同的偏压大小，并通过调节各电极区域串联电阻的阻值来优化沉积薄膜的应力均匀性和方阻均匀性，能大幅提高沉积薄膜的品质，有助于提高生产良率。