本发明公开了一种倒置加热制备氧化铋纳米线薄膜的方法，创新性的利用了铋金属熔点低的特性，采用直流磁控溅射方法在倒置基底导电面上沉积铋金属薄膜，通过精确控制倒置加热温度使铋金属薄膜处于半熔融状态，并调控适宜的氧气含量，使半熔融的铋金属在重力和表面张力的共同作用下，生长出具有特殊纳米线结构的氧化铋薄膜，解决了现有技术直流磁控溅射法制备的薄膜往往较为均匀致密，难以构建表面纳米结构的问题。
同时创新性的将铋靶材绑定铜背靶增强热传导，配合强制水冷技术用于靶头的冷却，成功的攻克了低熔点的铋靶材在磁控溅射过程中易过热熔化变形的技术难题。

汪福宪 卫莉玲 刘琼 成晖

广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)

510070 广东省广州市先烈中路100号34幢

本发明公开了一种倒置加热制备氧化铋纳米线薄膜的方法，创新性的利用了铋金属熔点低的特性，采用直流磁控溅射方法在倒置基底导电面上沉积铋金属薄膜，通过精确控制倒置加热温度使铋金属薄膜处于半熔融状态，并调控适宜的氧气含量，使半熔融的铋金属在重力和表面张力的共同作用下，生长出具有特殊纳米线结构的氧化铋薄膜，解决了现有技术直流磁控溅射法制备的薄膜往往较为均匀致密，难以构建表面纳米结构的问题。
同时创新性的将铋靶材绑定铜背靶增强热传导，配合强制水冷技术用于靶头的冷却，成功的攻克了低熔点的铋靶材在磁控溅射过程中易过热熔化变形的技术难题。