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专利摘要

本申请公开了一种蚀刻设备,包括:蚀刻液供给源,包括一第一储液槽、一第二储液槽,及设置于第一储液槽与第二储液槽之间的离子浓度调节装置,第一储液槽容置有金属离子蚀刻液;喷淋装置,与所述蚀刻液供给源的第一储液槽连通,以对至少一目标喷淋金属离子蚀刻液;供液管路,用于流体连接喷淋装置与蚀刻液供给源的第一储液槽;其中,离子浓度调节装置产生电子以调节金属离子蚀刻液中金属离子的浓度。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011109694.4
申请日
2020-10-16
公开日
2021-01-29
公开号
CN112289962A
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

许明

申请人

武汉华星光电半导体显示技术有限公司

申请人地址

430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室

专利摘要

本申请公开了一种蚀刻设备,包括:蚀刻液供给源,包括一第一储液槽、一第二储液槽,及设置于第一储液槽与第二储液槽之间的离子浓度调节装置,第一储液槽容置有金属离子蚀刻液;喷淋装置,与所述蚀刻液供给源的第一储液槽连通,以对至少一目标喷淋金属离子蚀刻液;供液管路,用于流体连接喷淋装置与蚀刻液供给源的第一储液槽;其中,离子浓度调节装置产生电子以调节金属离子蚀刻液中金属离子的浓度。

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