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专利摘要

本发明涉及一种碳化钼纳米片及其制备方法和应用,所述方法为将钼源、硝酸铵、甘氨酸混合均匀,之后加热到160~180℃,得到混合物1,加入葡萄糖,之后加热到230~280℃,获得蓬松固体,放入氢气氛围下加热到450~550℃,降温得到碳化钼纳米片。
所述的碳化钼纳米片制备方法加热温度低,便于操作和推广,所制得的碳化钼不会团聚,呈现不规则片状,比表面积大,在电催化制氢中的应用中具有优秀的催化性能。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811009185.7
申请日
2018-08-31
公开日
2019-01-04
公开号
CN109126844A
主分类号
/C/C25/ 化学;冶金
标准类别
电解或电泳工艺;其所用设备
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

古思勇 张厚安 陈伟斌 周洪涛

申请人

厦门理工学院

申请人地址

361000 福建省厦门市集美区后溪镇理工路600号

专利摘要

本发明涉及一种碳化钼纳米片及其制备方法和应用,所述方法为将钼源、硝酸铵、甘氨酸混合均匀,之后加热到160~180℃,得到混合物1,加入葡萄糖,之后加热到230~280℃,获得蓬松固体,放入氢气氛围下加热到450~550℃,降温得到碳化钼纳米片。
所述的碳化钼纳米片制备方法加热温度低,便于操作和推广,所制得的碳化钼不会团聚,呈现不规则片状,比表面积大,在电催化制氢中的应用中具有优秀的催化性能。

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