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专利摘要

本申请公开了一种二氧化钛单晶材料,所述二氧化钛单晶材料为锐钛矿型二氧化钛单晶材料;所述二氧化钛单晶材料的尺寸为0.1cm~30cm。
以及一种大尺寸锐钛矿型二氧化钛单晶的生长方法。
所述二氧化钛单晶材料的致密性好,结晶程度高。
该晶体材料的生长方法操作简单、重复性好、价格低廉、可规模化生产。
这种锐钛矿型二氧化钛单晶作为最重要的半导体之一,其优异的光电特性及自身稳定、低毒等优点,使其在光催化、染料敏化太阳能电池、光致变色器件和气体感测等领域具有广泛应用。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910103343.3
申请日
2019-02-01
公开日
2020-08-11
公开号
CN111519251A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

谢奎 金路

申请人

中国科学院福建物质结构研究所

申请人地址

350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号

专利摘要

本申请公开了一种二氧化钛单晶材料,所述二氧化钛单晶材料为锐钛矿型二氧化钛单晶材料;所述二氧化钛单晶材料的尺寸为0.1cm~30cm。
以及一种大尺寸锐钛矿型二氧化钛单晶的生长方法。
所述二氧化钛单晶材料的致密性好,结晶程度高。
该晶体材料的生长方法操作简单、重复性好、价格低廉、可规模化生产。
这种锐钛矿型二氧化钛单晶作为最重要的半导体之一,其优异的光电特性及自身稳定、低毒等优点,使其在光催化、染料敏化太阳能电池、光致变色器件和气体感测等领域具有广泛应用。

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