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专利摘要

本发明涉及一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构,该结构整体由圆环钼板、钨板、间隔钼板用的钼螺母、整体通过钼螺栓以及钼丝固定连接,圆环钼板包括至少两层圆形钼片;圆形钼片、钨板中间留有直径不同的同心圆内孔,整体由间隔钼板用的钼螺母、钼螺栓以及钼丝制作的铆钉固定;坩埚盖包括上半部圆环和下半部圆环,上半部圆环外径大于下半部圆环外径,上半部圆环和下半部圆环圆心相同外径不同,同心圆内孔直径从上到下先变小在变大;每层钼片内径尺寸也不相同,坩埚盖的最下层钨板为圆形;每层钼板、钨板之间由钼螺母间隔,通过钼螺栓、钼丝穿接固定。
本发明由钼丝以及间隔钼片的钼螺母穿接固定,形成头尾片可灵活拆卸结构,可以有效减小放肩阶段生长界面的底部圆锥角度,降低大尺寸晶体肩部缺陷,提高晶体晶体良率。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010707407.3
申请日
2020-07-22
公开日
2020-10-30
公开号
CN111850687A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

左洪波 杨鑫宏 李铁 马宗羽

申请人

哈尔滨秋硕半导体科技有限公司

申请人地址

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街357号

专利摘要

本发明涉及一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构,该结构整体由圆环钼板、钨板、间隔钼板用的钼螺母、整体通过钼螺栓以及钼丝固定连接,圆环钼板包括至少两层圆形钼片;圆形钼片、钨板中间留有直径不同的同心圆内孔,整体由间隔钼板用的钼螺母、钼螺栓以及钼丝制作的铆钉固定;坩埚盖包括上半部圆环和下半部圆环,上半部圆环外径大于下半部圆环外径,上半部圆环和下半部圆环圆心相同外径不同,同心圆内孔直径从上到下先变小在变大;每层钼片内径尺寸也不相同,坩埚盖的最下层钨板为圆形;每层钼板、钨板之间由钼螺母间隔,通过钼螺栓、钼丝穿接固定。
本发明由钼丝以及间隔钼片的钼螺母穿接固定,形成头尾片可灵活拆卸结构,可以有效减小放肩阶段生长界面的底部圆锥角度,降低大尺寸晶体肩部缺陷,提高晶体晶体良率。

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