本申请公开了一种用于PVT法制备单晶的长晶炉及其应用，属于半导体材料制备领域。
该用于PVT法制备单晶的长晶炉，包括由内至外设置的坩埚、保温结构、炉体和加热线圈，还包括设置在坩埚内的籽晶柱；坩埚的侧壁包括夹层，夹层包括内侧壁和外侧壁，内侧壁比外侧壁的孔隙率高，夹层形成原料腔；籽晶柱与坩埚的中轴线的延伸方向大致相同，籽晶柱与内侧壁的内表面之间形成长晶腔；加热线圈感应加热坩埚的侧壁，以使得原料腔内的原料升华后穿过内侧壁，并在长晶腔内沿径向气相传输至籽晶柱表面进行长晶。
该长晶炉可以高效、快速的制备极低缺陷密度的碳化硅单晶及其衬底，从而为高质量、低成本碳化硅衬底的大规模商用化奠定技术基础。

高超 宁秀秀 李霞 刘家朋 宗艳民

山东天岳先进科技股份有限公司

250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号

本申请公开了一种用于PVT法制备单晶的长晶炉及其应用，属于半导体材料制备领域。
该用于PVT法制备单晶的长晶炉，包括由内至外设置的坩埚、保温结构、炉体和加热线圈，还包括设置在坩埚内的籽晶柱；坩埚的侧壁包括夹层，夹层包括内侧壁和外侧壁，内侧壁比外侧壁的孔隙率高，夹层形成原料腔；籽晶柱与坩埚的中轴线的延伸方向大致相同，籽晶柱与内侧壁的内表面之间形成长晶腔；加热线圈感应加热坩埚的侧壁，以使得原料腔内的原料升华后穿过内侧壁，并在长晶腔内沿径向气相传输至籽晶柱表面进行长晶。
该长晶炉可以高效、快速的制备极低缺陷密度的碳化硅单晶及其衬底，从而为高质量、低成本碳化硅衬底的大规模商用化奠定技术基础。