本发明公开了一种大面积分子晶体及其制备方法。
所述大面积分子晶体的制备方法包括如下步骤：将有机半导体溶液置于疏水性基底上，并用亲水性基底覆盖所述疏水性基底，经生长即在所述亲水性基底上得到分子晶体；所述有机半导体溶液采用的溶剂为氯苯、三氯甲烷、二氯苯和二甲苯中至少一种；所述有机半导体溶液的质量体积浓度为0.01mg/mL～15mg/mL；所述有机半导体溶液的溶质为有机半导体分子。
本发明提供的大面积分子晶体具有面积大、均匀度高及表面平整的特征，由这些大面积二维分子晶体制备的场效应晶体管具有较高的载流子迁移率与较低的阈值电压，为后续的P‑N异质结的制备打下了坚实的基础。

江浪 石燕君 刘洁

中国科学院化学研究所

100190 北京市海淀区中关村北一街2号

本发明公开了一种大面积分子晶体及其制备方法。
所述大面积分子晶体的制备方法包括如下步骤：将有机半导体溶液置于疏水性基底上，并用亲水性基底覆盖所述疏水性基底，经生长即在所述亲水性基底上得到分子晶体；所述有机半导体溶液采用的溶剂为氯苯、三氯甲烷、二氯苯和二甲苯中至少一种；所述有机半导体溶液的质量体积浓度为0.01mg/mL～15mg/mL；所述有机半导体溶液的溶质为有机半导体分子。
本发明提供的大面积分子晶体具有面积大、均匀度高及表面平整的特征，由这些大面积二维分子晶体制备的场效应晶体管具有较高的载流子迁移率与较低的阈值电压，为后续的P‑N异质结的制备打下了坚实的基础。