本发明涉及设置于基材上的金属硫属化合物膜，其包括至少一个(例如，1至10个单层)的金属硫属化合物单层。
所述膜可以在80％或更多的被所述膜覆盖的基材上为连续的(例如，结构连续的和/或电子连续的)。
所述膜可以通过基于如下的方法制得：相对于硫属化合物前体浓度较低的金属前体浓度。
所述方法可以在低的水浓度下进行。
所述膜可用于设备(例如，电子设备)中。

J·帕克 K·康 S·谢

康奈尔大学

美国纽约州

本发明涉及设置于基材上的金属硫属化合物膜，其包括至少一个(例如，1至10个单层)的金属硫属化合物单层。
所述膜可以在80％或更多的被所述膜覆盖的基材上为连续的(例如，结构连续的和/或电子连续的)。
所述膜可以通过基于如下的方法制得：相对于硫属化合物前体浓度较低的金属前体浓度。
所述方法可以在低的水浓度下进行。
所述膜可用于设备(例如，电子设备)中。