化合物半导体及化合物半导体单晶的制造方法 下载此专利PDF版本

CN201780071427.2 化合物 半导体 方法 制造 单晶

目录

专利摘要

本发明提供一种在直径75mm以上的大口径InP单晶基板中，即便是Zn浓度为5×10

专利状态

  1. 申请日
  2. 公开日
  3. 有效专利

基础信息

专利号
CN201780071427.2
申请日
2017-11-09
公开日
2021-07-20
公开号
CN109963967B
主分类号
/C/C30/ 化学；冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

野田朗 川平启太 平野立一

申请人

JX金属株式会社

申请人地址

日本东京都

专利摘要

本发明提供一种在直径75mm以上的大口径InP单晶基板中，即便是Zn浓度为5×10

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