本发明公开了一种运用多物理场耦合辅助石膏制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于：常温下，石膏原材料采用电磁强化除杂纯化，在超声作用下用质量浓度1%~5%的稀硫酸调节pH至1~2后，添加转晶剂，在超声作用下混合均匀，然后施加多物理场，在多物理场的耦合作用下让不同的石膏晶体类型转化为α‑石膏晶体并刺激硫酸钙晶须的生长，最后静置8~12h待晶须析出后，取出干燥，即得硫酸钙晶须；本发明制得的硫酸钙晶须长径比高达100~150，晶须生长速度快，且晶须生长整齐、粒径均匀，长度、长径比可控，而且生产成本低、污染小、能耗低、产率高，本发明合制备工艺简单、不需要高温制备，制备成本大幅度降低。

瞿广飞 吴丰辉 赵晨阳 曾映达 胡英辉 李军燕 陈帮金

昆明理工大学

650093 云南省昆明市五华区学府路253号

本发明公开了一种运用多物理场耦合辅助石膏制备硫酸钙晶须的方法，其特征在于：常温下，石膏原材料采用电磁强化除杂纯化，在超声作用下用质量浓度1%~5%的稀硫酸调节pH至1~2后，添加转晶剂，在超声作用下混合均匀，然后施加多物理场，在多物理场的耦合作用下让不同的石膏晶体类型转化为α‑石膏晶体并刺激硫酸钙晶须的生长，最后静置8~12h待晶须析出后，取出干燥，即得硫酸钙晶须；本发明制得的硫酸钙晶须长径比高达100~150，晶须生长速度快，且晶须生长整齐、粒径均匀，长度、长径比可控，而且生产成本低、污染小、能耗低、产率高，本发明合制备工艺简单、不需要高温制备，制备成本大幅度降低。