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专利摘要

本发明公开了一种制备高质量石墨单晶的方法。
采用共熔-析晶法,将过渡金属或过渡金属的化合物,与碳原料均匀混和后升温加热形成共熔体,再经过降温后得到金属、石墨两相分离体,经机械分离后即得高性能的导热石墨。
本发明制得的高质量石墨单晶结晶度高,其晶粒尺寸可达到Lc(002) = 100 nm, 晶面间距d(002) = 0.335 nm,均优于高定向热解石墨的指标。

专利状态

基础信息

专利号
CN201510158112.4
申请日
2015-04-03
公开日
2015-07-15
公开号
CN104775147A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

余柯涵 韦玮 吕鹏

申请人

余柯涵

申请人地址

210023 江苏省南京市亚东新城区文苑路9号

专利摘要

本发明公开了一种制备高质量石墨单晶的方法。
采用共熔-析晶法,将过渡金属或过渡金属的化合物,与碳原料均匀混和后升温加热形成共熔体,再经过降温后得到金属、石墨两相分离体,经机械分离后即得高性能的导热石墨。
本发明制得的高质量石墨单晶结晶度高,其晶粒尺寸可达到Lc(002) = 100 nm, 晶面间距d(002) = 0.335 nm,均优于高定向热解石墨的指标。

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