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专利摘要

一种电子束扫描制备石墨烯晶体薄膜的方法,该方法包括以下步骤:束斑标定位置调整;束斑范围标定;工艺参数计算;工艺参数测试;制备区定位;石墨烯晶体薄膜制备。
本发明在真空环境下,采用电子束扫描碳聚合物薄膜表面制备石墨烯晶体薄膜,可调工艺参数多,如工作电压、束流、聚焦电流、工作距离、扫描轨迹、扫描频率、扫描范围均可调节,因此可以组合的工作参数较多,更加能够适应不同规格、不同用途石墨烯晶体薄膜制备的需求;此外,在真空环境下制备石墨烯晶体薄膜,不易受到其它杂质气体的影响,石墨烯晶体薄膜的质量较好,并且与激光相比,电子与材料作用时能量转化效率高,且制备过程中不需要在材料表面涂覆光敏材料,简化工艺过程。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010981860.3
申请日
2020-09-17
公开日
2021-01-05
公开号
CN112176413A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

许海鹰

申请人

中国航空制造技术研究院

申请人地址

100024 北京市朝阳区八里桥北东军庄1号

专利摘要

一种电子束扫描制备石墨烯晶体薄膜的方法,该方法包括以下步骤:束斑标定位置调整;束斑范围标定;工艺参数计算;工艺参数测试;制备区定位;石墨烯晶体薄膜制备。
本发明在真空环境下,采用电子束扫描碳聚合物薄膜表面制备石墨烯晶体薄膜,可调工艺参数多,如工作电压、束流、聚焦电流、工作距离、扫描轨迹、扫描频率、扫描范围均可调节,因此可以组合的工作参数较多,更加能够适应不同规格、不同用途石墨烯晶体薄膜制备的需求;此外,在真空环境下制备石墨烯晶体薄膜,不易受到其它杂质气体的影响,石墨烯晶体薄膜的质量较好,并且与激光相比,电子与材料作用时能量转化效率高,且制备过程中不需要在材料表面涂覆光敏材料,简化工艺过程。

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