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专利摘要

本发明公开了一种提高MPCVD制备单晶金刚石稳定性的方法,其特征在于利用液态金属的流动性和高热导率的特性提高单晶金刚石籽晶温度散热稳定性,从而提高单晶金刚石生产稳定性。
具体实施方案为:在耐高温金属样品台上放置单晶金刚石籽晶的位置开一个略小于单晶金刚石长宽尺寸的小槽,滴入适量的液态金属直至铺满小槽,将单晶金刚石籽晶放置在小槽上盖住液态金属,确保单晶金刚石籽晶与液态金属接触面积至少大于单晶金刚石籽晶的1/2。

专利状态

基础信息

专利号
CN201810163115.0
申请日
2018-02-26
公开日
2018-08-03
公开号
CN108360064A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-公开

发明人

武迪 陈贞君 郑大平 朱瑞 肖景阳

申请人

湖北碳六科技有限公司

申请人地址

443400 湖北省宜昌市五峰民族工业园(枝江市白洋镇)

专利摘要

本发明公开了一种提高MPCVD制备单晶金刚石稳定性的方法,其特征在于利用液态金属的流动性和高热导率的特性提高单晶金刚石籽晶温度散热稳定性,从而提高单晶金刚石生产稳定性。
具体实施方案为:在耐高温金属样品台上放置单晶金刚石籽晶的位置开一个略小于单晶金刚石长宽尺寸的小槽,滴入适量的液态金属直至铺满小槽,将单晶金刚石籽晶放置在小槽上盖住液态金属,确保单晶金刚石籽晶与液态金属接触面积至少大于单晶金刚石籽晶的1/2。

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