1.本技术涉及半导体技术领域，特别涉及一种剔除芯片不良品的设备及剔除芯片不良品的方法。


背景技术：

2.芯片封装工艺是芯片的制作过程中必不可少的一个工艺。芯片封装过程中得到的封装结构包括多个芯片，多个芯片通过引线框连接在一起。封装过程中会产生一些芯片不良品，在将芯片发送给客户之前，需要芯片不良品挑选出来。
3.目前一般将封装结构进行切割，得到多个独立的芯片成品，之后人工将芯片不良品挑选出来。但是通过人工挑选芯片不良品耗费大量的人力，并且容易遗漏不良品。


技术实现要素：

4.根据本技术实施例的第一方面提供了一种剔除芯片不良品的设备，包括控制器、激光系统及摄像装置；
5.所述控制器用于控制所述摄像装置对封装产品进行摄像得到图像，根据所述图像确定所述封装产品中的芯片不良品在所述图像中的参考位置信息，并根据所述参考位置信息确定切割控制信息包括的所述芯片不良品对应的切割位置信息；所述封装产品包括引线框与多个芯片，所述多个芯片与所述引线框相连；所述多个芯片包括至少一个所述芯片不良品；
6.所述激光系统用于产生激光，并根据所述切割控制信息对所述封装产品进行激光切割，以将所述芯片不良品剔除。
7.在一个实施例中，所述激光系统包括激光发射部，所述激光发射部固定设置，所述剔除芯片不良品的设备还包括传送机构，所述控制器还用于控制所述传送机构将固定在所述传送机构上的所述封装产品传送至设定位置，以使所述封装产品位于所述激光发射部下方；
8.所述传送机构包括载台、滑道及电机，所述载台用于固定所述封装产品，所述电机用于带动所述载台在所述滑道上移动。
9.在一个实施例中，所述载台包括两个相对设置的支撑部，所述支撑部设有与所述封装产品的边缘接触的支撑面，沿所述支撑部指向另一个所述支撑部的方向，该支撑部的所述支撑面向上倾斜；
10.所述支撑面与水平面之间的夹角的范围为3
°
～5
°
；
11.所述剔除芯片不良品的设备还包括位于所述载台下方的激光消除结构，所述激光消除结构包括反射结构及位于所述反射结构上表面的吸收结构，所述吸收机构用于吸收入射至所述激光消除结构的所述激光，所述反射结构用于改变未被所述吸收结构吸收的激光的传播方向，避免所述激光反射回所述封装产品。
12.在一个实施例中，所述激光消除结构包括第一消除结构和第二消除结构，所述第
一消除结构包括沿纵向延伸的第一延伸部及与所述第一延伸部的底部相连的第一倾斜部，所述第二消除结构包括沿纵向延伸的第二延伸部及与所述第二延伸部的底部相连的第二倾斜部；所述第一延伸部与所述第二延伸部分别位于所述封装产品的两侧且相对设置，所述第二倾斜部位于所述第一倾斜部下方，所述第一倾斜部向靠近所述第二倾斜部的方向倾斜向下延伸，所述第二倾斜部向靠近所述第一倾斜部的方向倾斜向下延伸。
13.在一个实施例中，所述芯片不良品上设有标记，所述图像包括所述标记对应的图像区域；所述控制器用于识别所述图像中的所述图像区域，确定所述图像区域在所述图像中的位置，得到所述参考位置信息。
14.在一个实施例中，每一所述芯片不良品对应的切割位置信息包括多个切割点的位置信息，所述控制器用于根据所述封装产品的标识信息及所述参考位置信息，确定所述芯片不良品的多个切割点的位置信息；所述控制器还用于根据所述封装产品的标识信息确定所述切割控制信息中的第一切割顺序及各个所述切割点对应的切割次数，所述第一切割顺序为所述多个切割点对应的切割次序；
15.所述激光系统用于根据所述多个切割点的位置信息、所述第一切割顺序及各个所述切割点对应的切割次数及对所述封装产品进行切割。
16.在一个实施例中，所述封装产品包括多个芯片不良品，所述控制器还用于获取所述切割控制信息中的第二切割顺序，并根据所述第二切割顺序及所述多个芯片不良品的位置信息，确定所述多个芯片不良品的切割次序；所述第二切割顺序为所述封装产品中各个芯片的位置对应的切割次序，所述第二切割次序中相邻切割次序对应的芯片的位置不相邻；
17.所述激光系统用于根据所述多个芯片不良品的切割次序对所述多个芯片不良品进行切割。
18.根据本技术实施例的第二方面提供了一种剔除芯片不良品的方法，用于剔除芯片不良品的设备的控制器，所述剔除芯片不良品的设备还包括激光系统及摄像装置，所述方法包括：
19.控制所述摄像装置对封装产品进行摄像得到图像；
20.根据所述图像确定所述封装产品中的芯片不良品在所述图像中的参考位置信息；所述封装产品包括引线框与多个芯片，所述多个芯片与所述引线框相连；所述多个芯片包括至少一个所述芯片不良品；
21.根据所述参考位置信息确定切割控制信息包括的所述芯片不良品对应的切割位置信息；
22.将所述切割控制信息发送至所述激光系统，以使所述激光系统产生激光，并根据所述切割控制信息对所述封装产品进行激光切割，将所述芯片不良品剔除。
23.在一个实施例中，所述芯片不良品上设有标记，所述图像包括所述标记对应的图像区域，所述根据所述图像确定所述封装产品中的芯片不良品在所述图像中的参考位置信息，包括：
24.识别所述图像中的所述图像区域，确定所述图像区域在所述图像中的位置，得到所述参考位置信息。
25.在一个实施例中，每一所述芯片不良品对应的切割位置信息包括多个切割点的位
置信息，所述根据所述参考位置信息确定所述芯片不良品对应的切割控制信息包括的所述芯片不良品对应的切割位置信息，包括：
26.根据所述参考位置信息及所述封装产品的标识信息确定所述芯片不良品对应的多个切割点的位置信息；
27.所述方法还包括：根据所述封装产品的标识信息确定所述切割控制信息中的第一切割顺序及各个所述切割点对应的切割次数；所述第一切割顺序为所述多个切割点对应的切割次序；
28.所述激光系统根据所述多个切割点的位置信息、所述第一切割顺序及各个所述切割点对应的切割次数对所述封装产品进行激光切割。
29.在一个实施例中，所述封装产品中包括多个芯片不良品，所述方法还包括：
30.获取所述切割控制信息中的第二切割顺序，所述第二切割顺序为所述封装产品中各个芯片的位置对应的切割次序，所述第二切割次序中相邻切割次序对应的芯片不相邻；
31.根据所述第二切割顺序及所述多个芯片不良品的位置信息，确定所述多个芯片不良品的切割次序；
32.所述激光系统根据所述芯片不良品对应的切割控制信息对所述封装产品进行切割，包括：
33.所述激光系统根据所述多个芯片不良品的切割次序对所述多个芯片不良品进行切割。
34.本技术实施例所达到的主要技术效果是：
35.本技术实施例提供的剔除芯片不良品的设备及剔除芯片不良品的方法，通过摄像设备对封装产品进行摄像得到图像，控制器根据图像可确定封装产品中的芯片不良品在图像中的参考位置信息，进而根据参考位置信息确定切割控制信息中的切割位置信息，激光系统根据切割控制信息对封装产品进行激光切割，将芯片不良品从封装产品中去除。可知，本技术实施例提供的剔除芯片不良品的设备及方法可自动剔除封装产品中的芯片不良品，效率较高，可节省人力；并且通过控制器识别封装产品中的芯片不良品，不容易出现遗漏芯片不良品的问题。
附图说明
36.图1是本技术一示例性实施例提供的剔除芯片不良品的设备的结构示意图；
37.图2是本技术一示例性实施例提供的封装产品的结构示意图；
38.图3是图2所示的封装产品的局部放大图；
39.图4是本技术一示例性实施例提供的剔除芯片不良品的设备的局部结构的侧视图；
40.图5是本技术一示例性实施例提供的剔除芯片不良品的设备的载台的局部结构示意图；
41.图6是本技术一示例性实施例提供的剔除芯片不良品的设备的载台的侧视图；
42.图7是本技术一示例性实施例提供的剔除芯片不良品的设备的载台的俯视图；
43.图8是本技术一示例性实施例提供的剔除芯片不良品的设备的局部结构示意图；
44.图9是本技术一示例性实施例提供的剔除芯片不良品的设备的外部结构的示意
图；
45.图10是本技术一示例性实施例提供的剔除芯片不良品的设备处理封装产品时的流程图；
46.图11是本技术一示例性实施例提供的剔除芯片不良品的方法的流程图；
47.图12是本技术一示例性实施例提供的控制器及激光控制部存储的点阵列图的数据对应的点阵列图；
48.图13是本技术一示例性实施例提供的摄像装置根据存储的点阵列图的数据确定的第一点阵列图；
49.图14为本技术一示例性实施例提供的激光系统根据存储的点阵列图的数据对黑色纸板进行打印得到的第二点阵列图；
50.图15为本技术一示例性实施例提供的激光系统根据校准后的点阵列图的数据对黑色纸板进行打印得到的第三点阵列图。
具体实施例
51.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本技术相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
52.在本技术使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
53.应当理解，尽管在本技术可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本技术范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在
……
时”或“当
……
时”或“响应于确定”。
54.下面结合附图，对本技术的一些实施例作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
55.本技术实施例提供了一种剔除芯片不良品的设备。参见图1，本技术实施例提供的剔除芯片不良品的设备包括控制器10、激光系统20及摄像装置30。
56.所述控制器10用于控制所述摄像装置30对封装产品进行摄像得到图像，根据所述图像确定所述封装产品中的芯片不良品在所述图像中的参考位置信息，并根据所述参考位置信息确定切割控制信息包括的所述芯片不良品对应的切割位置信息。其中，所述封装产品包括引线框与多个芯片，所述多个芯片与所述引线框相连；所述多个芯片包括至少一个所述芯片不良品。所述激光系统20用于产生激光，并根据所述切割控制信息对所述封装产品进行激光切割，以将所述芯片不良品剔除。
57.本技术实施例提供的剔除芯片不良品的设备，摄像设备30可对封装产品进行摄像得到图像，控制器10根据图像可确定封装产品中的芯片不良品在图像中的参考位置信息，
进而根据参考位置信息确定切割控制信息中的切割位置信息，激光系统根据切割控制信息对封装产品进行激光切割，将芯片不良品从封装产品中去除。可知，本技术实施例提供的剔除芯片不良品的设备可自动剔除封装产品中的芯片不良品，效率较高，可节省人力；并且通过控制器识别封装产品中的芯片不良品，不容易出现遗漏芯片不良品的问题。
58.在一个实施例中，参见图2及图3，封装产品70包括引线框71及芯片80。引线框71设有用于放置芯片80的芯片区711以及第一镂空区712、第二镂空区713、第三镂空区714、第四镂空区715、第五镂空区716、第六镂空区717及第七镂空区718。封装产品70可划分为多个条形区域b，相邻两个条形区域b之间设有第一镂空区712。条形区域b内设有两列间隔排布的芯片，同一条形区域b中的两列芯片之间设置有第四镂空区715。同一条形区域b中，沿列方向间隔排布的多个芯片中，相邻两个芯片之间设有两组第五镂空区、两组第二镂空区及一个第三镂空区714。其中，每组第五镂空区包括在行方向上间隔排布的多个第五镂空区716，每组第二镂空区包括在行方向上间隔排布的多个第二镂空区713，第三镂空区714为沿行方向延伸的条状镂空区；两组第五镂空区716分别与两个芯片80邻接设置，两组第二镂空区713位于两组第五镂空区716之间，第三镂空区714位于两组第二镂空区713之间；第六镂空区717及第七镂空区718分别位于芯片区711两侧，且第七镂空区718与第五镂空区716连通。
59.在一个实施例中，激光系统20包括激光发射部21及激光控制部22，激光发射部21用于发射激光以对封装产品进行激光切割，激光控制部22用于控制激光发射部21发射的激光的走向，进而控制对封装产品切割的位置。
60.在一个实施例中，所述激光发射部21及所述摄像装置30固定设置，所述剔除芯片不良品的设备还包括传送机构50，所述控制器10还用于控制所述传送机构50将固定在所述传送机构50上的所述封装产品传送至设定位置，以使所述封装产品位于所述激光发射部21下方。通过设置传送机构50，便于将封装产品传送至设定位置。
61.在一个实施例中，所述传送机构50包括载台51、滑道52及电机(未图示)，所述载台51用于固定所述封装产品，所述电机用于带动所述载台51在所述滑道52上移动。电机可位于载台51下方，控制器10可控制电机运转，电机运转时带动载台51在滑道52上移动。控制器10可控制电机运转的时间及速度，来使得电机带动载台51移动至设定位置，以将封装产品传送至设定位置。
62.在一个实施例中，参见图4和图5，所述载台51包括两个相对设置的支撑部511，所述支撑部511设有与所述封装产品的边缘接触的支撑面512，沿所述支撑部511指向另一个所述支撑部511的方向，该支撑部511的所述支撑面512向上倾斜。如此，封装产品固定在载台51上时，封装产品相对的两个边缘分别与两个载台51的支撑面512直接接触，由于支撑面512向上倾斜，也即支撑面512与支撑部511相连的一侧低于支撑面512未与支持部511相连的一侧，则封装产品的边缘向上倾斜，从而使封装产品的中心拱起，可使得封装产品固定更稳定，在进行激光切割时可减轻封装产品上下抖动的程度，有助于提升切割精度。
63.在一些实施例中，两个支撑部511之间的距离可调节。如此设置，可根据封装产品的尺寸来调节两个支撑部511之间的距离，从而使剔除芯片不良品的设备可适用于不同尺寸的封装产品，应用范围更广。在一些实施例中，两个支撑部511之间的距离可自动调节，或者两个支撑部511之间的距离可手动调节。
64.在一些实施例中，参见图5，所述支撑面512与水平面之间的夹角α的范围为3
°
～5°
。如此设置，即可避免支撑面512与水平面之间的夹角太小而导致支撑面512对封装产品的支撑效果不好，也可避免支撑面512与水平面之间的夹角太大而导致封装产品固定在载台上时发生弯折。支撑面512与水平面之间的夹角的范围为3.5
°
、4
°
、4.5
°
、5
°
等。
65.在一些实施例中，支撑面512的宽度d为2.5mm。如此既可避免支撑面512的宽度太大而导致封装产品的芯片部分位于支撑面512上而导致无法对位于支撑面上的芯片进行有效切割，也可避免支撑面512的宽度太小而导致支撑面512对封装产品的支撑效果不好。
66.在一个实施例中，参见图6，载台51还包括设置在支撑部511上的夹持结构513，每一支撑部511上分别设有一个夹持结构513，夹持结构513用于与对应的支撑面512配合以将封装产品固定。在需要将封装产品固定在载台51上时，夹持结构513向上抬起，此时可将封装产品至于支撑面512上，之后夹持结构513向下并压住封装产品的边缘，将封装产品固定在载台上。
67.在一个实施例中，参见图4及图7，载台51还可包括两个支撑机构514，两个支撑结构514可相对设置，且均位于两个支撑面512之间。支撑结构514用于支撑封装产品的相对两侧的边缘，支撑面512用于支撑封装产品的另外两个相对的边缘，支持结构514与支撑部511的配合可使得封装产品在载台51上固定更牢固，更有利于防止在激光切割过程中封装产品发生抖动。需要说明的是，为了避免透过封装产品的激光被反射至封装产品的背面，封装产品的下方不会设置支撑结构。支撑机构514及支撑面512仅与封装产品的边缘接触，由于引线框的边缘区域未设置有芯片，则采用激光对封装产品进行切割时不会切割封装产品的边缘，因而支撑机构514和支撑面512不会使激光反射。在一些实施例中，封装产品大致呈矩形，封装产品长度较大的两个边的边缘置于支撑面512上，长度较小的两个边的边缘置于支撑结构514上。
68.在一些实施例中，两个支撑机构514中，其中一个支撑机构514的高度固定，另外一个支撑机构514的高度可调节。在将封装产品固定在载台51上时，先将高度可调节的支撑机构的高度降低，将封装产品置于高度固定的支撑机构及两个支撑面512上后，再将高度可调节的支撑机构的高度调节至与高度固定的支撑机构的高度相同。如此设置，便于将封装产品固定在载台51上。高度可调节的支撑机构包括气缸，通过气缸实现支撑机构高度的调节。
69.在一个实施例中，再次参见图4，所述剔除芯片不良品的设备还包括位于所述载台51下方的激光消除结构60，所述激光消除结构60包括反射结构及设置在所述反射结构上的吸收结构，所述吸收结构用于吸收入射至所述激光消除结构60的所述激光，所述反射结构用于改变未被所述吸收结构吸收的所述激光的传播方向，避免所述激光反射回所述封装产品。
70.由于激光系统20产生的激光用于切割封装产品，一般激光系统20的输出功率较大，例如可达到120w。若透光封装产品的激光被反射并入射至封装产品的背面，会破坏封装产品。通过设置激光消除结构60，可避免透光封装产品的激光被反射至封装产品而破坏封装产品；并且，入射至激光消除结构60的激光大部分可被吸收结构吸收，被反射结构反射的激光的量较少，也可避免激光入射至其他结构而破坏其他结构。吸收结构可吸收的激光的中心波长与激光系统产生的激光的中心波长匹配，例如激光系统产生的激光的中心波长为1064nm，则吸收结构可吸收的激光的中心波长为1064nm。
71.在一个实施例中，所述激光消除结构60包括第一消除结构61和第二消除结构62，
所述第一消除结构61包括沿纵向延伸的第一延伸部611及与所述第一延伸部611的底部相连的第一倾斜部612，所述第二消除结构62包括沿纵向延伸的第二延伸部621及与所述第二延伸部621的底部相连的第二倾斜部622。所述第一延伸部611与所述第二延伸部621分别位于所述封装产品的两侧且相对设置，所述第二倾斜部622位于所述第一倾斜部612下方，所述第一倾斜部612向靠近所述第二倾斜部622的方向倾斜向下延伸，所述第二倾斜部622向靠近所述第一倾斜部612的方向倾斜向下延伸。
72.如此设置，透过封装产品且入射至第一延伸部611的激光部分被第一延伸部611的吸收结构吸收，未被吸收的激光被第一延伸部611的反射结构反射后入射至第二延伸部621或者第二倾斜部622；入射至第二延伸部621或第二倾斜部622的激光部分被吸收结构吸收，未被吸收的部分被发射结构反射并朝向背离第二倾斜部622且倾斜向下的方向传播；入射至第一倾斜部612的激光部分为第一倾斜部612的吸收结构吸收，未被吸收的激光被第一倾斜部612的反射结构反射并入射至第二倾斜部622；入射至第二倾斜部622的激光部分被吸收，未被吸收的部分被反射结构反射，然后朝向背离第二倾斜部622且倾斜向下的方向传播。透过封装产品且入射至第二延伸部621的激光部分被吸收结构吸收，未被吸收的部分被反后入射至第一倾斜部612，或者朝向背离第二倾斜部622且倾斜向下的方向传播；入射至第一倾斜部612的激光部分被吸收，未被吸收的部分入射至第二倾斜部622，入射至第二延伸部621或第二倾斜部622的激光部分被吸收，未被吸收的部分被发射结构反射并朝向背离第二倾斜部622且倾斜向下的方向传播。可知，通过设置第一消除结构61和第二消除结构62，可使得透光封装产品的激光部分被吸收，未被吸收的部分朝向背离第二倾斜部622且倾斜向下的方向传播，可有效避免透过封装产品的激光返回封装产品的背面。
73.在一个实施例中，第一延伸部611与第二延伸部621的顶端齐平。如此，可使得透光封装产品的激光几乎全部被吸收或者被反射。
74.在一个实施例中，第一倾斜部612与第二倾斜部622之间存在间隙。如此，芯片不良品从封装产品上去除后，在重力的作用下向下掉落，可穿过第一倾斜部612与第二倾斜部622之间的间隙并继续向下运动。剔除芯片不良品的设备还可包括设置在激光消除结构60下方的收容结构，芯片不良品通过第一倾斜部612与第二倾斜部622之间的间隙后可进入到收容结构内。
75.在一个实施例中，反射结构61的材料为金属，吸收结构62的材料为玻璃。金属的反射率较高。
76.在一个实施例中，剔除芯片不良品的设备还包括除尘装置，除尘装置可固定在支架上，用于清除切割过程中产生的粉尘。除尘设备可在封装产品的侧部吹气，将粉尘除去，同时也可使封装产品冷却，避免切割过程使封装产品的切割位置处热量集中而导致封装产品表面的镀锡融化。
77.在一个实施例中，参见图8，摄像装置30包括相机31和光源32。相机31可以是线扫相机，线扫相机的灵活度较高，动态范围广，拍摄得到的图像比较清晰。线扫相机的像素数量可大于一亿。载台51载着封装产品移动至经过线扫相机下方的位置时，线扫相机对封装产品进行拍摄，封装产品的各个区域全部经过线扫相机后，线扫相机拍摄完成，得到图像。
78.光源32可以是白色光源，呈条形阵列排布。控制器10控制摄像装置30拍摄图像时，控制相机31和光源32同时打开，光源32提高环境亮度，可使得相机31拍摄的图像更清楚。
79.在一个实施例中，控制器中存储有图像中不同像素点对应的校准值，校准值用于校准切割位置信息。芯片不良品在图像中所占的图像区域包括多个像素点，控制器可根据图像区域包括的多个像素点的位置信息及各个像素点对应的校准值确定切割位置信息。如此可使得控制器确定出的切割位置信息更准确，有助于提高切割精度。
80.在一个实施例中，所述剔除芯片不良品的设备还包括支架40，所述激光发射部21及摄像装置30固定在支架40上。如此，激光发射部21及摄像装置30固定设置，可避免激光发射部21晃动而导致切割精度低，也可避免摄像装置30晃动导致拍摄的图像不准确。
81.在一个实施例中，支架40在纵向上及水平方向上的位置可调整，支架40上可设有千分尺33，用来精确测量支架40移动的距离。具体地，支架40上可设有三个千分尺33，其中一个用于测量摄像装置30在纵向上移动的距离，另外两个设置在同一水平面上。设置在同一水平面上的两个千分尺33中，其中一个用于测量摄像装置30在x轴方向上移动的距离，另一个用于测量摄像装置30在y轴上移动的距离。控制器10根据三个千分尺33测量的数据及摄像装置30移动前的位置信息，可确定摄像装置30当前的位置信息，进而根据所述图像确定所述封装产品中的芯片不良品在所述图像中的参考位置信息更准确。
82.在一个实施例中，参见图9，剔除芯片不良品的设备还可包括上柜体41、下柜体42及支撑板43，支撑板43位于下柜体42与上柜体41之间。控制器10及激光控制部22可收容于下柜体42中，激光发射部21及摄像设备30可收容于上柜体41内。上柜体41及下柜体42可保护控制器10、激光系统20及摄像设备30。滑道52固定在支撑板43上，滑道52的一端可延伸至上柜体41外侧，上柜体41上设有载台51可通过的开口。载台51位于上柜体41外时，可将封装产品固定在载台51上，之后载台51可将封装产品传送至上柜体41内。
83.在一个实施例中，剔除芯片不良品的设备还可包括显示设备，控制器可控制显示设备显示摄像装置30拍摄的图像，摄像装置30位于上柜体41外部，操作人员可通过显示设备观察图像。
84.在一个实施例中，所述封装产品的芯片不良品上设有标记。在使用本技术实施例提供的剔除芯片不良品的设备剔除芯片不良品之前，首先要人工检查出封装产品中的芯片不良品，并在芯片不良品上打标记。芯片不良品上的标记可由人工采用记号笔进行标注形成，标记例如可以是“x”等。
85.所述图像包括所述标记对应的图像区域，所述控制器10用于识别所述图像中的所述图像区域，确定所述图像区域在所述图像中的位置，得到所述参考位置信息。所述图像区域也即是芯片不良品的标记在图像中所占的区域，图像区域在图像中的位置信息也即是芯片不良品的标记在图像中的位置信息，芯片不良品的标记在图像中的位置信息也是芯片不良品在图像中的参考位置信息。
86.在一个实施例中，每一所述芯片不良品对应的切割位置信息包括多个切割点的位置信息，所述控制器10用于根据所述封装产品的标识信息及所述参考位置信息确定所述芯片不良品的多个切割点的位置信息。芯片不良品的位置确定后，需要确定进行切割的位置，也即是切割点的位置信息。芯片的周侧与引线框连接的位置有多处，在对芯片不良品进行切割时，需要对芯片不良品与引线框的各个连接位置分别进行切割。其中，切割点指的是一个切割位置，不同切割点的尺寸可以不同。
87.不同的封装产品的引线框的结构不同，引线框与芯片不良品的连接结构不同，在
切割芯片不良品时需要进行切割的位置不同，控制器10可根据封装产品的标识信息，确定芯片不良品的切割位置。其中，封装产品的标识信息可以是操作人员输入的，或者每一封装产品对应一个标识卡，在启动剔除芯片不良品的设备时，操作人员可刷标识卡，控制系统识别标识卡并获取封装产品的标识信息。再次参见图3，封装产品的每一个芯片不良品与引线框之间存在六处连接的结构，因而芯片不良品对应六个切割点：切割点1、切割点2、切割点3、切割点4、切割点5和切割点6。这六处连接结构中，切割点1与切割点2对应的连接结构用于连接芯片的塑封体与引线框，称为吊筋；切割点3、切割点4、切割点5及切割点6对应的连接结构用于连接芯片的引脚与引线框，称为连筋。在对芯片不良品进行切割时，需要对这六个切割位置分别进行切割，才能将芯片不良品从封装产品上切割掉。
88.所述控制器10还用于根据所述封装产品的标识信息确定所述切割控制信息中的第一切割顺序及各个所述切割点对应的切割次数，所述第一切割顺序为所述多个切割点对应的切割次序。所述激光系统用于根据所述多个切割点的位置信息、所述第一切割顺序及各个所述切割点对应的切割次数及对所述封装产品进行切割。
89.芯片与引线框之间的连接结构在不同切割位置的厚度及长度不同，对于连接结构的长度较大或者厚度较大的位置(例如图3所示的实施例中切割点1与切割点2对应的连筋)，需要进行多次切割才能将连接结构切断。若对于同一个位置持续切割多次，会导致该位置热量集中，热量不易散发，进而导致封装产品表面镀锡融化而影响芯片的性能。多个切割位置在切割时，如果切割次序不合适，若其中一个吊筋断开，另外一个吊筋未断开，连筋均断开，会导致芯片受到未断开的吊筋的挤压或拉力，而导致芯片不良品无法从封装产品上剥离。因而，在进行切割前，控制器10需首先确定不同切割点的切割次数及第一切割顺序。通过控制不同切割点每次进行切割时的切割次数，可避免连续对一个切割点进行切割的次数过多而导致热量在该切割点处集中；通过控制多个切割点的切割顺序，可控制不同切割点处的连接结构的断开顺序，可保证芯片不良品与引线框分离后顺利向下掉落。
90.图3所示的实施例中，六个切割点的切割次数及顺序可以是：首先对切割点1切割十次；随后对切割点2切割十次；随后对切割点3切割五次；随后对切割点4切割五次；随后对切割点5切割五次；随后对切割点6切割五次；随后对切割点1切割十次，切割点1处的吊筋断开；随后对切割点2切割十次，切割点2处的吊筋断开；随后对切割点3切割五次，切割点3处的连筋断开；随后对切割点4切割五次，切割点4处的连筋断开；随后对切割点5切割五次，切割点5处的连筋断开；随后对切割点6切割五次，切割点6处的连筋断开。
91.在一个实施例中，所述封装产品中包括多个芯片不良品，所述控制器10还用于获取所述切割控制信息中的第二切割顺序，并根据所述第二切割顺序及所述多个芯片不良品的位置信息，确定所述多个芯片不良品的切割次序。所述第二切割顺序为所述封装产品中各个芯片的位置对应的切割次序，所述第二切割次序中相邻切割次序对应的芯片的位置不相邻。所述激光系统在切割芯片不良品时，根据所述多个芯片不良品的切割次序对所述多个芯片不良品进行切割。也即是，当封装产品中多个不良品的位置相邻时，对多个不良品进行跳跃式切割，可避免相邻多个芯片不良品的切割次序相邻，切割过程中热量堆积过多而导致引线框瞬间弯曲变形，影响切割精度及封装产品的性能。
92.在一个实施例中，参见图2，封装产品包括多个条状区域时，可按照设定顺序对每一条状区域中的芯片不良品进行切割；对于每一个条状区域中的多个芯片不良品，可按照
设定顺序进行切割。也即是，第二切割顺序包括多个条状区域的切割顺序及每一条状区域中各个芯片的位置信息对应的切割次序。例如可先对图2中最左侧的条状区域的芯片不良品进行切割，之后在对中间的条状区域的芯片不良品进行切割，最后在对右侧的条状区域的芯片不良品进行切割。对于每一条状区域，不同芯片的位置信息对应的切割次序为a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9、a10。图2最左侧的条状区域中，芯片不良品为a1、a4及a6对应的位置处的芯片，则在切割时先切割a1对应的位置处的芯片不良品，之后切割a4对应的位置处的芯片不良品，最后切割a6对应的位置处的芯片不良品。
93.在一个实施例中，激光系统20的激光发射部21包括场镜，场镜可使得激光发射部21产生的激光的覆盖范围较大。在切割芯片不良品时，激光发射部21保持不动，激光控制部22可根据切割控制信息控制激光发射部21发射的激光的走向，来对不同切割点进行切割。激光系统20产生的激光的覆盖范围例如可以是110mm
×
110mm。激光的切割路径的宽度可以是0.1mm，切割精度可以为0.005mm，切割精度较高，偏差较小，不会影响与芯片不良品相邻的芯片良品。
94.在其他实施例中，激光发射部21可不包括场镜，激光系统20还可包括机械手臂，机械手臂与激光发射部21相连。激光控制部22可控制机械手臂移动，进而机械手臂带动激光发射部21移动，从而控制激光发射部21发射的激光的走向。
95.在一个实施例中，在采用剔除芯片不良品的设备剔除封装产品的芯片不良品之前，操作人员可输入封装产品中的芯片不良品的总数，控制器获取封装产品中芯片不良品的总数。在采用剔除芯片不良品的设备剔除芯片不良品的过程中，控制器10可实时统计已切割掉的芯片不良品的数量。若控制器10统计出已切割掉的芯片不良品的数量等于或大于芯片不良品的总数，则控制器控制激光系统停止发射激光，也即是停止对封装产品进行切割，以防止封装产品中的芯片良品被误剔除。
96.在一个实施例中，在将封装产品中的芯片不良品全部剔除后，控制器10可控制载台51移动至初始位置，也即是移动至上柜体41的外部，以便于操作人员将封装产品从载台51上取下。
97.在一个实施例中，控制器10中可存储有多个控制程序，不同的控制程序对应不同的封装产品的标识信息。在使用剔除芯片不良品的设备时，控制器10首先获取封装产品的标识信息，根据标识信息调用对应的控制程序，来对激光系统20、摄像装置30及传送机构50进行控制。
98.在一个实施例中，剔除芯片不良品的设备处理封装产品时的流程可如图10所示。
99.在步骤101中，操作人员刷封装产品的信息单。封装产品的信息单可包括封装产品的标识信息，也可包括封装产品中芯片不良品的总数。
100.在步骤102中，控制器根据封装产品的信息单获取封装产品的标识信息，并根据标识信息选择对应的控制程序。
101.在步骤103中，操作人员将封装产品固定在载台上，或者封装产品从其他输送机构自动传输到载台上并固定。
102.在一些实施例中，封装产品中芯片不良品的数量大于五十时，可通过操作人员将封装产品固定在载台上；封装产品中芯片不良品的数量小于或等于五十时，封装产品可自动固定在载台上。
103.在步骤104中，剔除芯片不良品的设备识别封装产品上的二维码标识信息，与已获取的标识信息进行匹配，判断是否匹配成功。
104.若判断结果为是，则执行步骤105；若判断结果为否，则暂停处理。
105.在步骤105中，控制器控制传送机构将封装产品传送至设定位置。
106.在步骤106中，控制器控制摄像装置拍摄图像，判断是否拍摄成功。
107.若判断结果为是，则执行步骤107；若判断结果为否，则暂停处理。
108.在步骤107中，控制器根据图像确定封装产品中芯片不良品的位置信息。
109.在一些实施例中，操作人员可修改控制器获取的芯片不良品的位置信息，以使确定出的芯片不良品的位置信息更准确。
110.在步骤108中，控制器控制激光系统发射激光以对封装产品进行切割。
111.在步骤109中，控制器控制除尘系统将切割产生的粉尘清除。
112.在步骤110中，控制器将统计得到的被剔除的不良品的总数与信息单包括的芯片不良品的总数进行比对，判断二者是否相同。
113.若判断结果为是，则执行步骤111；若判断结果为否，则进行报警。
114.在步骤111中，控制器控制传送机构将处理后的封装产品运送至指定位置，进而处理后的封装产品可从载台上取下。
115.现有的一种方案中，采用人工剔除封装产品的芯片不良品。在该现有的方案中，人工需要在塑封工序后对不良品进行标记，以便于后续识别芯片不良品。在挑选不良品之前，先将封装产品进行切割，得到独立的芯片，通过识别芯片不良品上的标识来进行挑选。由于在电镀工序后标记会变淡，则需要在电镀工序后再次对不良品进行标记，或者在对封装产品切割之前再次对不良品进行标记，以使芯片不良品上的标记更显眼，便于识别。可知，现有的方案需要多次对不良品进行标记，并且人工挑选不良品容易遗漏。与该现有的方案相比，本技术实施例提供的剔除芯片不良品的设备，自动识别芯片不良品，不需要对芯片不良品进行重复标记，可省略在电镀工序后再次对不良品进行标记的步骤，或者在对封装产品切割之前再次对不良品进行标记的步骤，且不需要人工挑出芯片不良品，可节约人力；由于在将封装产品切割成单个芯片之前已经将芯片不良品去除，因而可杜绝芯片不良品漏掉而供应给客户。
116.现有的另一种方案中，采用磨具将封装产品中的芯片不良品切割掉。但是采用磨具切割过程时容易将封装产品的引线框变形，给后续加工带来困难，也可能导致封装产品报废；一种磨具只能切割一种封装产品，成本较高；使用磨具切割时，需要人工先找出芯片不良品进行对位后再切割，效率较低。与该现有的方案相比，本技术实施例提供的剔除芯片不良品的设备，采用激光进行切割，可避免引线框变形；剔除芯片不良品的设备可用于多种封装产品；剔除芯片不良品的设备可自动识别芯片不良品，可节省人力。
117.本技术实施例还提供了一种剔除芯片不良品的方法。所述剔除芯片不良品的方法用于图1所示的剔除芯片不良品的设备的控制器，所述剔除芯片不良品的设备还包括激光系统及摄像装置。参见图11，所述方法包括如下步骤210至步骤240。下面将对各个步骤进行具体介绍。
118.在步骤210中，控制所述摄像装置对封装产品进行摄像得到图像。
119.在一个实施例中，参见图8，摄像设备30包括相机31和光源32。控制器10控制摄像
装置30拍摄图像时，控制相机31和光源32同时打开，光源32提高环境亮度，可使得相机31拍摄的图像更清楚。
120.相机31可以是线扫相机，线扫相机的灵活度较高，动态范围广，拍摄得到的图像比较清晰。线扫相机的像素数量可大于一亿。光源32可以是白色光源，呈条形阵列排布。
121.在一个实施例中，相机为线扫相机时，剔除芯片不良品的设备还包括传送机构，在所述控制所述摄像装置对封装产品进行摄像得到图像之前，所述方法还包括：控制所述传送机构将固定在所述传送机构上的所述封装产品向靠近线扫相机的位置传送。当控制器检测到封装产品即将经过线扫相机时，控制线扫相机及光源32开启，线扫相机开始拍摄；当控制器检测到封装产品的各个区域均经过线扫相机后，线扫相机完成拍摄，得到所述图像，控制器控制线扫相机及光源32关闭。
122.在一个实施例中，所述传送机构50包括载台51、滑道52及电机(未图示)，所述载台51用于固定所述封装产品，所述电机用于带动所述载台51在所述滑道52上移动。电机可位于载台51下方，控制器10可控制电机运转，电机运转时带动载台51在滑道52上移动。控制器10可控制电机运转的时间及速度，来使得电机带动载台51移动至预定的位置，以使封装产品传送至设定位置。
123.在步骤220中，根据所述图像确定所述封装产品中的芯片不良品在所述图像中的参考位置信息；所述封装产品包括引线框与多个芯片，所述多个芯片与所述引线框相连；所述多个芯片包括至少一个所述芯片不良品。
124.在一个实施例中，所述芯片不良品上设有标记，所述图像包括所述标记对应的图像区域，所述根据所述图像确定所述封装产品中的芯片不良品在所述图像中的参考位置信息的步骤220，包括：
125.识别所述图像中的所述图像区域，确定所述图像区域在所述图像中的位置，得到所述参考位置信息。
126.所述图像区域也即是芯片不良品的标记在图像中所占的区域，图像区域在图像中的位置信息也即是芯片不良品的标记在图像中的位置信息，芯片不良品的标记在图像中的位置信息也即是芯片不良品在图像中的参考位置信息。
127.封装产品可包括多个芯片不良品，在步骤220中，控制器确定封装产品中的各个芯片不良品的参考位置信息。
128.在步骤230中，根据所述参考位置信息确定切割控制信息包括的所述芯片不良品对应的切割位置信息。
129.在一个实施例中，控制器中存储有图像中不同位置的像素点对应的校准值，校准值用于校准切割位置信息。芯片不良品在图像中所占的图像区域包括多个像素点，控制器可根据图像区域包括的多个像素点的位置信息及各个像素点对应的校准值确定切割位置信息。
130.在一个实施例中，激光系统20包括激光发射部21及激光控制部22，激光发射部21用于发射激光对封装产品进行激光切割，激光控制部22用于控制激光发射部21发射的激光的走向，进而控制对封装产品切割的位置。
131.在一个实施例中，在使用本技术提供的剔除芯片不良品的设备对封装产品进行处理之前，可先确定各个像素点的校准值。通过确定各个像素点的校准值，可使得确定得到的
切割位置信息更准确，进而保证激光切割的精度。
132.在一个实施例中，确定各个像素点的校准值的过程可如下：
133.首先，控制器10及激光控制部22分别先存储相同的点阵列图的数据，参见图12，点阵列图上设有间隔排布的多个预设点，相邻预设点之间的距离均相等，点阵列图的数据包括各预设点的位置信息。例如点阵列图的尺寸可以是90mm
×
70mm，相邻点之间的距离为0.3mm。控制器10及激光控制部22分别获取各个预设点的位置信息。图13为摄像装置30根据存储的点阵列图的数据确定的第一点阵列图。
134.随后，在钢板上贴附黑色纸板，并将钢板固定在传送系统的载台上，传送系统将钢板传送至设定位置，以使钢板位于激光发射部21下方。激光控制部22控制激光发射部21发射激光，并根据各个预设点的位置信息对黑色纸板进行打印，得到多个打印点，多个打印点对应的阵列图为图14所示的第二点阵列图。之后，控制器10根据第一阵列图与第二阵列图进行比对，确定各个打印点对应的校准值，也即是图像中与预设点对应的像素点的校准值。例如，第一阵列图中某一点的坐标为1.1，而第二阵列图中对应的点的坐标为2.1，则确定该点对应的校准值为-1，控制系统对该点的坐标进行校准后的值为0.1。该点的坐标为0.1时，激光系统实际打印的位置的坐标为1.1，不存在偏差。图15为激光系统根据校准后的点阵列图的数据进行打印得到的第三阵列图。由图15可知，通过对激光控制部22中存储的点阵列图的数据进行校准，大大提升了激光的精度。
135.在一个实施例中，每一所述芯片不良品对应的切割位置信息包括多个切割点的位置信息，所述根据所述参考位置信息确定所述芯片不良品对应的切割控制信息包括的所述芯片不良品对应的切割位置信息的步骤230，包括：
136.根据所述参考位置信息及所述封装产品的标识信息确定所述芯片不良品对应的多个切割点的位置信息。
137.芯片不良品的位置确定后，需要确定进行切割的位置，也即是切割点的位置信息。芯片的周侧与引线框连接的位置有多处，在对芯片不良品进行切割时，需要对芯片不良品与引线框的各个连接位置分别进行切割。其中，切割点指的是一个切割位置，不同切割点的尺寸可以不同。
138.不同的封装产品的引线框的结构不同，芯片与芯片不良品在切割时需要进行切割的位置不同，控制器10可根据封装产品的标识信息，确定芯片不良品的切割位置。其中，封装产品的标识信息可以是操作人员输入的，或者每一封装产品对应一个标识卡，在启动剔除芯片不良品的设备时，操作人员可刷标识卡，控制系统识别标识卡并获取封装产品的标识信息。
139.在一个实施例中，所述方法还包括：根据所述封装产品的标识信息确定所述切割控制信息中的第一切割顺序及各个所述切割点对应的切割次数；所述第一切割顺序为所述多个切割点对应的切割次序。所述激光系统根据所述多个切割点的位置信息、所述第一切割顺序及各个所述切割点对应的切割次数对所述封装产品进行激光切割。
140.芯片与引线框之间的连接结构在不同切割位置的厚度及长度不同，对于连接结构的长度较大或者厚度较大的位置(例如图3所示的实施例中切割点1与切割点2对应的连筋)，需要进行多次切割才能将连接结构切断。若对于同一个位置持续切割多次，会导致该位置热量集中，不易散热，进而导致封装产品表面镀锡融化而影响芯片的性能。多个切割位
置在切割时，如果切割次序不合适，例如图3所示的实施例中，若其中一个吊筋断开，另外一个吊筋未断开，连筋均断开，会导致芯片受到未断开的吊筋的挤压或拉力，而导致芯片不良品无法被切割掉。因而，在进行切割前，控制器10需首先确定不同切割点的切割次数及第一切割顺序。通过控制不同切割点每次进行切割时的切割次数，可避免连续对一个切割点进行切割的次数过多而导致热量在该切割点处集中；通过控制多个切割点的切割顺序，可控制不同切割点处的连接结构的断开顺序，可保证芯片不良品与引线框分离后顺利向下掉落。
141.在一个实施例中，所述封装产品中包括多个芯片不良品，所述方法还包括：
142.获取所述切割控制信息中的第二切割顺序，所述第二切割顺序为所述封装产品中各个芯片的位置对应的切割次序，所述第二切割次序中相邻切割次序对应的芯片不相邻。根据所述第二切割顺序及所述多个芯片不良品的位置信息，确定所述多个芯片不良品的切割次序。所述激光系统根据所述芯片不良品对应的切割控制信息对所述封装产品进行切割，包括：所述激光系统根据所述多个芯片不良品的切割次序对所述多个芯片不良品进行切割。
143.如此设置，可避免相邻多个芯片不良品的切割次序相邻，切割过程中热量堆积过多而导致引线框瞬间弯曲变形，影响切割精度及封装产品的性能。
144.在步骤240中，将所述切割控制信息发送至所述激光系统，以使所述激光系统产生激光，并根据所述芯片不良品对应的切割控制信息对所述封装产品进行激光切割，将所述芯片不良品剔除。
145.在该步骤之前，控制器10控制传送机构将封装产品传送至设定位置，以使封装产品位于激光系统20的激光发射部21下方。控制器10控制摄像装置拍摄图像的同时，控制传送机构带动封装产品移动，在拍摄装置拍摄完成后，控制器10可控制传送机构继续移动至设定位置，中间可不停止。
146.在该步骤中，芯片不良品的数量为多个时，控制器将切割控制信息包括的各个芯片不良品对应的多个切割点的位置信息、第一切割顺序及多个芯片不良品的切割次序对多个芯片不良品进行切割。
147.本技术实施例提供的剔除芯片不良品的设备，通过控制摄像设备对封装产品进行摄像得到图像，可根据图像确定封装产品中的芯片不良品在图像中的参考位置信息，进而根据参考位置信息确定切割控制信息中的切割位置信息，激光系统根据切割控制信息对封装产品进行激光切割，将芯片不良品从封装产品中去除。可知，本技术实施例提供的剔除芯片不良品的方法可自动剔除封装产品中的芯片不良品，效率较高，可节省人力；通过控制器识别封装产品中的芯片不良品，不容易出现遗漏芯片不良品的问题。
148.对于方法实施例而言，由于其基本对应于产品的实施例，所以相关细节及有益效果的描述参见产品实施例的部分说明即可，不再进行赘述。
149.需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个
以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
150.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本技术的其它实施方案。本技术旨在涵盖本技术的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本技术的一般性原理并包括本技术未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本技术的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
151.应当理解的是，本技术并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本技术的范围仅由所附的权利要求来限制。